Hogar > Productos > Recubrimiento de carburo de silicio > Epitaxia de carburo de silicio > Recubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxia
Recubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxia
  • Recubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxiaRecubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxia
  • Recubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxiaRecubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxia

Recubrimiento CVD SiC Susceptor de epitaxia

El susceptor de epitaxia con revestimiento CVD SiC de VeTek Semiconductor es una herramienta de ingeniería de precisión diseñada para la manipulación y el procesamiento de obleas semiconductoras. Este susceptor de epitaxia de recubrimiento de SiC desempeña un papel vital en la promoción del crecimiento de películas delgadas, epicapas y otros recubrimientos, y puede controlar con precisión la temperatura y las propiedades del material. Bienvenido a sus consultas adicionales.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

El susceptor de epitaxia con recubrimiento CVD SiC es un tipo deSusceptor Epi LED MOCVD, que desempeña un papel central en el reactor CVD. Como Epi Susceptor, no solo es una fuente de calor, sino que también proporciona una plataforma de soporte estable para el sustrato durante el proceso de deposición.Recubrimiento de SiCPuede reducir eficazmente la oxidación y la contaminación del susceptor de grafito en ambientes de alta temperatura, garantizando así la alta pureza del material depositado.

BásicoPropiedades físicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad
3,21 g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano
2~10μm
Pureza química
99,99995%
Capacidad calorífica
640 J·kg-1·k-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young
Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W·m-1·k-1
Expansión Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1

Ventajas del producto susceptor de epitaxia con recubrimiento CVD SiC:

   ●  Deposición precisa: Con el susceptor de epitaxia de recubrimiento CVD SiC, puede lograr una deposición controlada con precisión de películas y recubrimientos delgados para obtener resultados repetibles y de alta calidad.

   ●  Contaminación reducida: El recubrimiento de SiC minimiza el riesgo de contaminación porEpisuceptora base de Grafito, asegurando la pureza del material depositado.

   ●  Durabilidad: El recubrimiento de SiC mejora la resistencia a la oxidación y a la corrosión química del susceptor de epitaxia de grafito, dándole una vida útil más larga y una mayor confiabilidad.


Semiconductores VeTekse compromete a ofrecer productos de alta calidad y precios competitivos. Ya seaSi el receptor de EPIo Susceptor EPI de grafito de alta pureza, podemos satisfacer sus necesidades. Esperamos ser su socio a largo plazo en China.


Semiconductores VeTekTiendas de productos de susceptor de epitaxia con recubrimiento CVD SiC:




Etiquetas calientes: Susceptor de epitaxia con revestimiento CVD SiC, China, fabricante, proveedor, fábrica, personalizado, compra, avanzado, duradero, hecho en China
Categoría relacionada
Enviar Consulta
Por favor, siéntase libre de dar su consulta en el siguiente formulario. Le responderemos en 24 horas.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept