Si el receptor de EPI

VeTek Semiconductor es una fábrica que combina mecanizado de precisión y capacidades de recubrimiento de semiconductores SiC y TaC. El Si Epi Susceptor tipo barril proporciona capacidades de control de temperatura y atmósfera, mejorando la eficiencia de producción en los procesos de crecimiento epitaxial de semiconductores. Esperamos establecer una relación de cooperación con usted.

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Descripción del Producto

La siguiente es la introducción del Susceptor Si Epi de alta calidad, con la esperanza de ayudarlo a comprender mejor el Susceptor Si Epi tipo barril. ¡Bienvenidos clientes nuevos y antiguos a continuar cooperando con nosotros para crear un futuro mejor!

Un reactor epitaxial es un dispositivo especializado que se utiliza para el crecimiento epitaxial en la fabricación de semiconductores. El susceptor tipo barril Si Epi proporciona un entorno que controla la temperatura, la atmósfera y otros parámetros clave para depositar nuevas capas de cristal en la superficie de la oblea.

La principal ventaja del Barrel Type Si Epi Susceptor es su capacidad para procesar múltiples chips simultáneamente, lo que aumenta la eficiencia de producción. Por lo general, tiene múltiples soportes o abrazaderas para sostener múltiples obleas, de modo que se puedan cultivar varias obleas al mismo tiempo en el mismo ciclo de crecimiento. Esta característica de alto rendimiento reduce los ciclos y costos de producción y mejora la eficiencia de la producción.

Además, el susceptor Barrel Type Si Epi ofrece control optimizado de temperatura y atmósfera. Está equipado con un avanzado sistema de control de temperatura que es capaz de controlar y mantener con precisión la temperatura de crecimiento deseada. Al mismo tiempo, proporciona un buen control de la atmósfera, asegurando que cada chip crezca en las mismas condiciones atmosféricas. Esto ayuda a lograr un crecimiento uniforme de la capa epitaxial y mejorar la calidad y consistencia de la capa epitaxial.

En el susceptor Barrel Type Si Epi, el chip generalmente logra una distribución uniforme de la temperatura y una transferencia de calor a través del flujo de aire o el flujo de líquido. Esta distribución uniforme de la temperatura ayuda a evitar la formación de puntos calientes y gradientes de temperatura, mejorando así la uniformidad de la capa epitaxial.

Otra ventaja es que el Barrel Type Si Epi Susceptor proporciona flexibilidad y escalabilidad. Puede ajustarse y optimizarse para diferentes materiales epitaxiales, tamaños de viruta y parámetros de crecimiento. Esto permite a los investigadores e ingenieros realizar un rápido desarrollo y optimización de procesos para satisfacer las necesidades de crecimiento epitaxial de diferentes aplicaciones y requisitos.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1