Tubo recubierto de carburo de tantalio para el crecimiento de cristales

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder en tubos recubiertos de carburo de tantalio para crecimiento de cristales en China. Nos hemos especializado en recubrimientos cerámicos durante muchos años. Nuestros productos tienen una alta pureza y resistencia a altas temperaturas. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo. en China.

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Descripción del Producto

Puede estar seguro de comprar un tubo recubierto de carburo de tantalio personalizado para el crecimiento de cristales de VeTek Semiconductor. Esperamos cooperar con usted, si desea saber más, puede consultarnos ahora, ¡le responderemos a tiempo!

VeTek Semiconductor ofrece tubos recubiertos de carburo de tantalio para el crecimiento de cristales diseñados específicamente para el crecimiento de cristales de SiC mediante el método de transporte físico de vapor (PVT). Los tubos de grafito de VeTek Semiconductor cuentan con un recubrimiento de carburo de tantalio CVD de alta pureza, lo que garantiza un rendimiento óptimo en el crecimiento de cristales de SiC. Los cristales de SiC, conocidos como semiconductores de tercera generación, tienen un inmenso potencial en diversas aplicaciones. Al utilizar nuestro tubo recubierto de carburo de tantalio para el crecimiento de cristales, los investigadores y profesionales de la industria pueden optimizar eficazmente el crecimiento de SiC y producir bolas de cristal de SiC de alta calidad. Ya sea que esté involucrado en investigación o producción industrial, nuestros productos brindan soluciones confiables para el crecimiento eficiente de cristales de SiC.

Además del tubo de grafito recubierto de TaC, VeTek Semiconductor también suministra anillos recubiertos de TaC, crisol recubierto de TaC, grafito poroso recubierto de TaC, susceptor de grafito recubierto de TaC, anillo guía recubierto de TaC, placa recubierta de carburo de tantalio TaC, anillo de recubrimiento TaC, cubierta de grafito recubierto de TaC, recubierto de TaC. Trozo para horno de crecimiento de cristales como se muestra a continuación:

Método PVT Crecimiento de cristales de SiC

Parámetro del producto del tubo recubierto de carburo de tantalio para el crecimiento de cristales

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6,3 10-6/k
Dureza (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10-5 ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del revestimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)

Rendimiento de la oblea después de usar nuestros componentes:

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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