Anillo de recubrimiento CVD TaC
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Anillo de recubrimiento CVD TaC

El anillo de recubrimiento CVD TaC de VeTek Semiconductor es un componente muy ventajoso diseñado para cumplir con los exigentes requisitos de los procesos de crecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC). El anillo de recubrimiento CVD TaC proporciona una excelente resistencia a altas temperaturas e inercia química, lo que lo convierte en una opción ideal para entornos caracterizados por temperaturas elevadas y condiciones corrosivas. Estamos comprometidos a ofrecer productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo. en China.

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Descripción del Producto

El anillo de recubrimiento CVD TaC de VeTek Semiconductor es un componente fundamental para el crecimiento exitoso de un monocristal de carburo de silicio. Con su resistencia a altas temperaturas, inercia química y rendimiento superior, garantiza la producción de cristales de alta calidad con resultados consistentes. Confíe en nuestras soluciones innovadoras para mejorar los procesos de crecimiento de cristales de SiC del método PVT y lograr resultados excepcionales.

Durante el crecimiento de monocristales de carburo de silicio, el anillo de recubrimiento CVD TaC desempeña un papel crucial para garantizar resultados óptimos. Sus dimensiones precisas y su recubrimiento TaC de alta calidad permiten una distribución uniforme de la temperatura, minimizando el estrés térmico y promoviendo la calidad del cristal. La conductividad térmica superior del recubrimiento de TaC facilita una disipación eficiente del calor, lo que contribuye a mejorar las tasas de crecimiento y las características del cristal. Su construcción robusta y su excelente estabilidad térmica garantizan un rendimiento confiable y una vida útil prolongada, lo que reduce la necesidad de reemplazos frecuentes y minimiza el tiempo de inactividad de la producción.

La inercia química del anillo de recubrimiento CVD TaC es esencial para prevenir reacciones no deseadas y contaminación durante el proceso de crecimiento de cristales de SiC. Proporciona una barrera protectora, manteniendo la integridad del cristal y minimizando las impurezas. Esto contribuye a la producción de monocristales de alta calidad, libres de defectos y con excelentes propiedades eléctricas y ópticas.

Además de su rendimiento excepcional, el anillo de recubrimiento CVD TaC está diseñado para una fácil instalación y mantenimiento. Su compatibilidad con los equipos existentes y su perfecta integración garantizan un funcionamiento optimizado y una mayor productividad.

Cuente con VeTek Semiconductor y nuestro anillo de recubrimiento CVD TaC para obtener un rendimiento confiable y eficiente, posicionándolo a la vanguardia de la tecnología de crecimiento de cristales de SiC.


Método PVT Crecimiento de cristales de SiC:


Horno de crecimiento de cristales de SiC:


Especificación del anillo de recubrimiento CVD TaC:

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad 14,3 (g/cm³)
Emisividad específica 0.3
Coeficiente de expansión térmica 6,3 10-6/K
Dureza (HK) 2000 Hong Kong
Resistencia 1×10-5 ohmios*cm
Estabilidad térmica <2500℃
Cambios de tamaño de grafito -10~-20um
Espesor del recubrimiento Valor típico ≥20um (35um±10um)


Cadena Industrial:


Taller de producción


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