Portador de oblea de grafito recubierto de TaC

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El portador de obleas de grafito recubierto de TaC de VeTek Semiconductor interactúa directamente con las obleas en el reactor de epitaxia, mejorando la eficiencia y el rendimiento. Con la opción de recubrimiento de carburo de silicio o carburo de tantalio, el portador de oblea de grafito recubierto con TaC de VeTek Semiconductor ofrece una vida útil prolongada, hasta 2 o 3 veces más larga que el carburo de tantalio. Compatible con varios modelos de máquinas, incluidos los hornos epitaxiales LPE SiC, JSG y NASO.

El portador de grafito recubierto de TaC de VeTek Semiconductor garantiza una estequiometría de reacción precisa, evita la migración de impurezas y mantiene la estabilidad de la temperatura más allá de 2000 °C. Exhibe una notable resistencia al H2, NH3, SiH4 y Si, lo que protege contra entornos químicos agresivos. Al resistir choques térmicos, permite ciclos operativos rápidos sin delaminación del recubrimiento.

El recubrimiento VeTek Semiconductor TaC garantiza una pureza ultra alta, elimina impurezas y garantiza una cobertura conforme que cumple con estrictas tolerancias dimensionales. Con las capacidades avanzadas de procesamiento de grafito de VeTek Semiconductor, estamos equipados para satisfacer sus necesidades de personalización. Ya sea que necesite servicios de recubrimiento o soluciones integrales, nuestro equipo de ingenieros expertos está listo para diseñar la solución perfecta para sus aplicaciones específicas. Confíe en nosotros para ofrecerle productos de alta calidad adaptados a sus requisitos y expectativas.

Método PVT Crecimiento de cristales de SiC

Parámetro del producto del portador de obleas de grafito recubierto de TaC

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: