China Carburo de silicio sólido Fabricante, proveedor, fábrica

El carburo de silicio sólido VeTek Semiconductor es un componente cerámico importante en los equipos de grabado por plasma, el carburo de silicio sólido (carburo de silicio CVD) las piezas del equipo de grabado incluyenanillos de enfoque, cabezal de ducha de gas, plato, anillos de borde, etc. Debido a la baja reactividad y conductividad del carburo de silicio sólido (carburo de silicio CVD) frente a los gases de grabado que contienen cloro y flúor, es un material ideal para equipos de grabado por plasma, anillos de enfoque y otros componentes.

Por ejemplo, el anillo de enfoque es una parte importante colocada fuera de la oblea y en contacto directo con la oblea, aplicando un voltaje al anillo para enfocar el plasma que pasa a través del anillo, enfocando así el plasma en la oblea para mejorar la uniformidad de tratamiento. El anillo de enfoque tradicional está hecho de silicona ocuarzo, el silicio conductor como material de anillo de enfoque común, es casi cercano a la conductividad de las obleas de silicio, pero la escasez es la baja resistencia al grabado en plasma que contiene flúor, materiales de piezas de máquinas de grabado que se usan a menudo durante un período de tiempo, habrá graves Fenómeno de corrosión, reduciendo seriamente su eficiencia de producción.

SAnillo de enfoque de SiC sólidoPrincipio de funcionamiento：

Working Principle of Solid SiC Focus Ring

Comparación del anillo de enfoque basado en Si y el anillo de enfoque CVD SiC:

Comparación del anillo de enfoque basado en Si y el anillo de enfoque CVD SiC
Artículo	Y	CVD SiC
Densidad (g/cm³)	2.33	3.21
Banda prohibida (eV)	1.12	2.3
Conductividad térmica (W/cm℃)	1.5	5
CTE (x10^-6/℃)	2.6	4
Módulo elástico (GPa)	150	440
Dureza (GPa)	11.4	24.5
Resistencia al desgaste y la corrosión.	Pobre	Excelente

VeTek Semiconductor ofrece piezas avanzadas de carburo de silicio sólido (carburo de silicio CVD), como anillos de enfoque de SiC para equipos semiconductores. Nuestros anillos de enfoque de carburo de silicio sólido superan al silicio tradicional en términos de resistencia mecánica, resistencia química, conductividad térmica, durabilidad a altas temperaturas y resistencia al grabado iónico.

Las características clave de nuestros anillos de enfoque de SiC incluyen:

Alta densidad para tasas de grabado reducidas.

Excelente aislamiento con banda prohibida alta.

Alta conductividad térmica y bajo coeficiente de expansión térmica.

Superior resistencia al impacto mecánico y elasticidad.

Alta dureza, resistencia al desgaste y resistencia a la corrosión.

Fabricado usandoDeposición química de vapor mejorada con plasma (PECVD)técnicas, nuestros anillos de enfoque de SiC satisfacen las crecientes demandas de los procesos de grabado en la fabricación de semiconductores. Están diseñados para soportar una mayor potencia y energía de plasma, específicamente enplasma acoplado capacitivamente (CCP)sistemas.

Los anillos de enfoque de SiC de VeTek Semiconductor brindan un rendimiento y confiabilidad excepcionales en la fabricación de dispositivos semiconductores. Elija nuestros componentes de SiC para obtener una calidad y eficiencia superiores.

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