El portador de obleas de SiC sólido de VeTek Semiconductor está diseñado para entornos resistentes a altas temperaturas y a la corrosión en procesos epitaxiales de semiconductores y es adecuado para todo tipo de procesos de fabricación de obleas con requisitos de alta pureza. VeTek Semiconductor es un proveedor líder de soportes de obleas en China y espera convertirse en su socio a largo plazo en la industria de los semiconductores.
El portador de oblea de SiC sólido es un componente fabricado para ambientes corrosivos, de alta temperatura y alta presión del proceso epitaxial de semiconductores, y es adecuado para diversos procesos de fabricación de obleas con requisitos de alta pureza.
El sólido portador de oblea de SiC cubre el borde de la oblea, la protege y la posiciona con precisión, asegurando el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad. Los materiales de SiC se utilizan ampliamente en procesos como la epitaxia en fase líquida (LPE), la deposición química de vapor (CVD) y la deposición de vapor orgánico metálico (MOCVD) debido a su excelente estabilidad térmica, resistencia a la corrosión y excelente conductividad térmica. El sólido portador de oblea de SiC de VeTek Semiconductor se ha verificado en múltiples entornos hostiles y puede garantizar de manera efectiva la estabilidad y eficiencia del proceso de crecimiento epitaxial de la oblea.
● Estabilidad a temperaturas ultraaltas: Los portadores de obleas de SiC sólido pueden permanecer estables a temperaturas de hasta 1500 °C y no son propensos a deformarse o agrietarse.
● Excelente resistencia a la corrosión química: Al utilizar materiales de carburo de silicio de alta pureza, puede resistir la corrosión de una variedad de productos químicos, incluidos ácidos fuertes, álcalis fuertes y gases corrosivos, lo que extiende la vida útil del soporte de la oblea.
● Alta conductividad térmica: Los portadores de obleas de SiC sólido tienen una excelente conductividad térmica y pueden dispersar el calor de manera rápida y uniforme durante el proceso, lo que ayuda a mantener la estabilidad de la temperatura de las obleas y mejora la uniformidad y calidad de la capa epitaxial.
● Baja generación de partículas: Los materiales de SiC tienen una característica natural de baja generación de partículas, lo que reduce el riesgo de contaminación y pueden cumplir con los estrictos requisitos de alta pureza de la industria de semiconductores.
Parámetro
Descripción
Material
Carburo de silicio sólido de alta pureza
Tamaño de oblea aplicable
4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas (personalizable)
Tolerancia máxima de temperatura
Hasta 1500°C
Resistencia química
Resistencia a ácidos y álcalis, resistencia a la corrosión por fluoruro.
Conductividad térmica
250 W/(m·K)
Tasa de generación de partículas
Generación de partículas ultrabaja, adecuada para requisitos de alta pureza.
Opciones de personalización
El tamaño, la forma y otros parámetros técnicos se pueden personalizar según sea necesario.
● Confiabilidad: Después de pruebas rigurosas y verificación real por parte de los clientes finales, puede proporcionar soporte estable y a largo plazo en condiciones extremas y reducir el riesgo de interrupción del proceso.
● Materiales de alta calidad: Fabricado con materiales de SiC de la más alta calidad, garantiza que cada portador de oblea de SiC sólido cumpla con los altos estándares de la industria.
● Servicio de personalización: Admite la personalización de múltiples especificaciones y requisitos técnicos para satisfacer necesidades de procesos específicos.
Si necesita más información sobre el producto o realizar un pedido, póngase en contacto con nosotros. Le brindaremos consultas profesionales y soluciones basadas en sus necesidades específicas para ayudarlo a mejorar la eficiencia de la producción y reducir los costos de mantenimiento.