Susceptor de recubrimiento de SiC

Vetek Semiconductor se centra en la investigación, el desarrollo y la industrialización de recubrimientos CVD SiC y recubrimientos CVD TaC. Tomando como ejemplo el susceptor de recubrimiento de SiC, el producto está altamente procesado con alta precisión, recubrimiento denso CVD SIC, resistencia a altas temperaturas y fuerte resistencia a la corrosión. Una consulta sobre nosotros es bienvenida.

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Descripción del Producto

Puede estar seguro de comprar un susceptor de recubrimiento de SiC en nuestra fábrica.

Como fabricante de recubrimiento CVD SiC, VeTek Semiconductor desea ofrecerle susceptores de recubrimiento SiC hechos de grafito de alta pureza y susceptores de recubrimiento SiC (por debajo de 5 ppm). Bienvenido a consultarnos.

En Vetek Semiconductor, nos especializamos en investigación, desarrollo y fabricación de tecnología, ofreciendo una gama de productos avanzados para la industria. Nuestra principal línea de productos incluye recubrimiento CVD SiC+grafito de alta pureza, susceptor de recubrimiento SiC, cuarzo semiconductor, recubrimiento CVD TaC+grafito de alta pureza, fieltro rígido y otros materiales.

Uno de nuestros productos estrella es el susceptor de recubrimiento de SiC, desarrollado con tecnología innovadora para cumplir con los estrictos requisitos de la producción de obleas epitaxiales. Las obleas epitaxiales deben exhibir una distribución estrecha de longitud de onda y bajos niveles de defectos superficiales, lo que hace que nuestro susceptor de recubrimiento de SiC sea un componente esencial para lograr estos parámetros cruciales.

Ventajas de nuestro susceptor de recubrimiento de SiC:

Protección del material base: El recubrimiento CVD SiC actúa como una capa protectora durante el proceso epitaxial, protegiendo eficazmente el material base de la erosión y los daños causados por el entorno externo. Esta medida de protección prolonga enormemente la vida útil del equipo.

Excelente conductividad térmica: Nuestro recubrimiento CVD SiC posee una excelente conductividad térmica, transfiriendo eficientemente el calor desde el material base a la superficie del recubrimiento. Esto mejora la eficiencia de la gestión térmica durante la epitaxia, asegurando temperaturas de funcionamiento óptimas para el equipo.

Calidad de película mejorada: el recubrimiento CVD SiC proporciona una superficie plana y uniforme, creando una base ideal para el crecimiento de la película. Reduce los defectos resultantes del desajuste de la red, mejora la cristalinidad y la calidad de la película epitaxial y, en última instancia, mejora su rendimiento y confiabilidad.

Elija nuestro susceptor de recubrimiento de SiC para sus necesidades de producción de obleas epitaxiales y benefíciese de una protección mejorada, una conductividad térmica superior y una calidad de película mejorada. Confíe en las soluciones innovadoras de VeTek Semiconductor para impulsar su éxito en la industria de los semiconductores.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Talleres de producción:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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