VeTek Semiconductor, un fabricante líder de recubrimientos CVD SiC, ofrece discos de recubrimiento de SiC en reactores Aixtron MOCVD. Estos discos con revestimiento de SiC están fabricados con grafito de alta pureza y cuentan con un revestimiento de SiC CVD con impurezas inferiores a 5 ppm. Damos la bienvenida a consultas sobre este producto.
VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor de recubrimiento de SiC en China que produce principalmente discos, colectores y susceptores de recubrimiento de SiC con muchos años de experiencia. Esperamos construir una relación comercial con usted.
El disco del juego de recubrimiento de SiC de Aixtron es un producto de alto rendimiento diseñado para una amplia gama de aplicaciones. El kit está hecho de material de grafito de alta calidad con un revestimiento protector de carburo de silicio (SiC).
El recubrimiento de carburo de silicio (SiC) en la superficie del disco tiene varias ventajas importantes. En primer lugar, mejora enormemente la conductividad térmica del material de grafito, consiguiendo una conducción eficiente del calor y un control preciso de la temperatura. Esto garantiza un calentamiento o enfriamiento uniforme de todo el juego de discos durante el uso, lo que resulta en un rendimiento constante.
En segundo lugar, el revestimiento de carburo de silicio (SiC) tiene una excelente inercia química, lo que hace que el juego de discos sea muy resistente a la corrosión. Esta resistencia a la corrosión garantiza la longevidad y confiabilidad del disco, incluso en ambientes hostiles y corrosivos, lo que lo hace adecuado para una variedad de escenarios de aplicación.
Además, el revestimiento de carburo de silicio (SiC) mejora la durabilidad general y la resistencia al desgaste del juego de discos. Esta capa protectora ayuda al disco a resistir el uso repetido, reduciendo el riesgo de daño o degradación que puede ocurrir con el tiempo. La durabilidad mejorada garantiza el rendimiento y la confiabilidad a largo plazo del juego de discos.
Los discos del juego de revestimiento de SiC de Aixtron se utilizan ampliamente en laboratorios de investigación, procesamiento químico y fabricación de semiconductores. Su excelente conductividad térmica, resistencia química y durabilidad lo hacen ideal para aplicaciones críticas que requieren un control preciso de la temperatura y entornos resistentes a la corrosión.
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC. | |
Propiedad | Valor típico |
Estructura cristalina | FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111) |
Densidad | 3,21 g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
Tamaño de grano | 2~10μm |
Pureza química | 99,99995% |
Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
Fuerza flexible | 415 MPa RT de 4 puntos |
El módulo de Young | Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
Conductividad térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansión Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |