Calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC

MOCVD es una tecnología de crecimiento de película delgada de precisión que se usa ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores, optoelectrónicos y microelectrónicos. Mediante la tecnología MOCVD, se pueden depositar películas de material semiconductor de alta calidad sobre sustratos (como silicio, zafiro, carburo de silicio, etc.).

En el equipo MOCVD, el calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC proporciona un ambiente de calentamiento uniforme y estable en la cámara de reacción de alta temperatura, lo que permite que se desarrolle la reacción química en fase gaseosa, depositando así la película delgada deseada en la superficie del sustrato.

El calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC de VeTek Semiconductor está hecho de material de grafito de alta calidad con revestimiento de SiC. El calentador MOCVD de grafito recubierto de SiC genera calor mediante el principio de calentamiento por resistencia.

El núcleo del calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC es el sustrato de grafito. La corriente se aplica a través de una fuente de alimentación externa y las características de resistencia del grafito se utilizan para generar calor para alcanzar la alta temperatura requerida. La conductividad térmica del sustrato de grafito es excelente, lo que puede conducir rápidamente el calor y transferir uniformemente la temperatura a toda la superficie del calentador. Al mismo tiempo, el recubrimiento de SiC no afecta la conductividad térmica del grafito, lo que permite que el calentador responda rápidamente a los cambios de temperatura y garantice una distribución uniforme de la temperatura.

El grafito puro es propenso a oxidarse en condiciones de alta temperatura. El recubrimiento de SiC aísla eficazmente el grafito del contacto directo con el oxígeno, evitando así reacciones de oxidación y prolongando la vida útil del calentador. Además, los equipos MOCVD utilizan gases corrosivos (como amoníaco, hidrógeno, etc.) para la deposición química de vapor. La estabilidad química del recubrimiento de SiC le permite resistir eficazmente la erosión de estos gases corrosivos y proteger el sustrato de grafito.

A altas temperaturas, los materiales de grafito sin recubrimiento pueden liberar partículas de carbono, lo que afectará la calidad de deposición de la película. La aplicación del recubrimiento de SiC inhibe la liberación de partículas de carbono, lo que permite que el proceso MOCVD se lleve a cabo en un ambiente limpio, satisfaciendo las necesidades de fabricación de semiconductores con altos requisitos de limpieza.

Finalmente, el calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC generalmente está diseñado en forma circular u otra forma regular para garantizar una temperatura uniforme en la superficie del sustrato. La uniformidad de la temperatura es fundamental para el crecimiento uniforme de películas gruesas, especialmente en el proceso de crecimiento epitaxial MOCVD de compuestos III-V como GaN e InP.

VeTeK Semiconductor ofrece servicios de personalización profesionales. Las capacidades de mecanizado y recubrimiento de SiC líderes en la industria nos permiten fabricar calentadores de alto nivel para equipos MOCVD, adecuados para la mayoría de los equipos MOCVD.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.

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