Centro colector de revestimiento de SiC

El centro colector de recubrimiento de SiC de VeTek Semiconductor desempeña un papel importante en la producción del proceso Semiconducor EPI. Es uno de los componentes clave utilizados para la distribución y el control de gas en una cámara de reacción epitaxial. Bienvenido a consultarnos sobre el recubrimiento de SiC y el recubrimiento de TaC en nuestra fábrica.

La función del Centro Recolector de Revestimientos de SiC es la siguiente:

Distribución de gas: el centro colector de revestimiento de SiC se utiliza para introducir diferentes gases en la cámara de reacción epitaxial. Tiene múltiples entradas y salidas que pueden distribuir diferentes gases a los lugares deseados para satisfacer necesidades específicas de crecimiento epitaxial.

Control de gas: El Centro Colector de Recubrimiento de SiC logra un control preciso de cada gas a través de válvulas y dispositivos de control de flujo. Este control preciso del gas es esencial para el éxito del proceso de crecimiento epitaxial para lograr la concentración de gas y el caudal deseados, asegurando la calidad y consistencia de la película.

Uniformidad: El diseño y disposición del anillo colector de gas central ayuda a conseguir una distribución uniforme del gas. A través de una ruta de flujo de gas y un modo de distribución razonables, el gas se mezcla uniformemente en la cámara de reacción epitaxial, para lograr un crecimiento uniforme de la película.

En la fabricación de productos epitaxiales, el Centro colector de revestimiento de SiC desempeña un papel clave en la calidad, el espesor y la uniformidad de la película. A través de una distribución y control adecuados del gas, el Centro Colector de Recubrimiento de SiC puede garantizar la estabilidad y consistencia del proceso de crecimiento epitaxial, para obtener películas epitaxiales de alta calidad.

En comparación con el centro colector de grafito, el centro colector recubierto de SiC tiene una conductividad térmica mejorada, una mayor inercia química y una resistencia superior a la corrosión. El recubrimiento de carburo de silicio mejora significativamente la capacidad de gestión térmica del material de grafito, lo que conduce a una mejor uniformidad de temperatura y un crecimiento constante de la película en procesos epitaxiales. Además, el revestimiento proporciona una capa protectora que resiste la corrosión química, lo que prolonga la vida útil de los componentes de grafito. En general, el material de grafito recubierto de carburo de silicio ofrece una conductividad térmica, inercia química y resistencia a la corrosión superiores, lo que garantiza una mayor estabilidad y un crecimiento de película de alta calidad en procesos epitaxiales.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Cadena Industrial:

Taller de producción