Con nuestra experiencia en la fabricación de recubrimientos CVD SiC, VeTek Semiconductor se enorgullece de presentar la parte inferior del colector de recubrimiento SiC Aixtron. Estos fondos colectores con revestimiento de SiC están construidos con grafito de alta pureza y están recubiertos con CVD SiC, lo que garantiza una impureza inferior a 5 ppm. No dude en comunicarse con nosotros para obtener más información y consultas.
VeTek Semiconductor es un fabricante comprometido a proporcionar revestimiento CVD TaC y fondo de colector de revestimiento CVD SiC de alta calidad y trabaja en estrecha colaboración con los equipos Aixtron para satisfacer las necesidades de nuestros clientes. Ya sea en optimización de procesos o desarrollo de nuevos productos, estamos listos para brindarle soporte técnico y responder cualquier pregunta que pueda tener.
Productos Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center y SiC Coating Collector Bottom. Estos productos son uno de los componentes clave utilizados en los procesos avanzados de fabricación de semiconductores.
La combinación de la parte superior del colector, el centro del colector y la parte inferior del colector recubiertos de SiC de Aixtron en los equipos Aixtron desempeña las siguientes funciones importantes:
Gestión térmica: estos componentes tienen una excelente conductividad térmica y son capaces de conducir el calor de forma eficaz. La gestión térmica es crucial en la fabricación de semiconductores. Los recubrimientos de SiC en la parte superior del colector, el centro del colector y la parte inferior del colector recubierto de carburo de silicio ayudan a eliminar el calor de manera eficiente, mantener temperaturas de proceso adecuadas y mejorar la gestión térmica del equipo.
Inercia química y resistencia a la corrosión: la parte superior del colector, el centro del colector y la parte inferior del colector con recubrimiento de SiC de Aixtron tienen una excelente inercia química y son resistentes a la corrosión y oxidación químicas. Esto les permite operar de manera estable en ambientes químicos hostiles durante largos períodos de tiempo, proporcionando una capa protectora confiable y extendiendo la vida útil de los componentes.
Soporte para el proceso de evaporación por haz de electrones (EB): Estos componentes se utilizan en los equipos Aixtron para soportar el proceso de evaporación por haz de electrones. El diseño y la selección de materiales de la parte superior del colector, el centro del colector y la parte inferior del colector de revestimiento de SiC ayudan a lograr una deposición uniforme de la película y proporcionan un sustrato estable para garantizar la calidad y consistencia de la película.
Optimización del entorno de crecimiento de la película: Collector Top, Collector Center y SiC Coating Collector Bottom optimizan el entorno de crecimiento de la película en los equipos Aixtron. La inercia química y la conductividad térmica del recubrimiento ayudan a reducir las impurezas y los defectos y mejoran la calidad del cristal y la consistencia de la película.
Al utilizar la parte superior del colector, el centro del colector y la parte inferior del colector con recubrimiento de SiC de Aixtron, se puede lograr la gestión térmica y la protección química en los procesos de fabricación de semiconductores, se puede optimizar el entorno de crecimiento de la película y se puede mejorar la calidad y consistencia de la película. La combinación de estos componentes en los equipos Aixtron garantiza condiciones de proceso estables y una producción eficiente de semiconductores.
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC. | |
Propiedad | Valor típico |
Estructura cristalina | FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111) |
Densidad | 3,21 g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
Tamaño de grano | 2~10μm |
Pureza química | 99,99995% |
Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
Fuerza flexible | 415 MPa RT de 4 puntos |
El módulo de Young | Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
Conductividad térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansión Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |