Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor líder de susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD en China, y se especializa en aplicaciones de recubrimiento de SiC y productos semiconductores epitaxiales para la industria de semiconductores. Nuestros susceptores de grafito recubiertos de SiC MOCVD ofrecen calidad y precios competitivos y sirven a los mercados de Europa y América. Estamos comprometidos a convertirnos en su socio confiable a largo plazo en el avance de la fabricación de semiconductores.

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Descripción del Producto

El susceptor de grafito recubierto de SiC de VeTek Semiconductor para MOCVD es un portador de grafito recubierto de SiC de alta pureza, diseñado específicamente para el crecimiento de capas epitaxiales en chips de obleas. Como componente central en el procesamiento MOCVD, generalmente con forma de engranaje o anillo, cuenta con una resistencia al calor y a la corrosión excepcionales, lo que garantiza la estabilidad en entornos extremos.

Características clave del susceptor de grafito recubierto de SiC MOCVD:

● Revestimiento resistente a las escamas: Garantiza una cobertura uniforme del recubrimiento de SiC en todas las superficies, lo que reduce el riesgo de desprendimiento de partículas.

● Excelente resistencia a la oxidación a altas temperaturasce: Permanece estable a temperaturas de hasta 1600°C

● Alta pureza: Fabricado mediante deposición química de vapor CVD, adecuado para condiciones de cloración a alta temperatura

● Resistencia superior a la corrosión: Altamente resistente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.

● Patrón de flujo de aire laminar optimizado: Mejora la uniformidad de la dinámica del flujo de aire.

● Distribución térmica uniforme: Garantiza una distribución estable del calor durante procesos de alta temperatura

● Prevención de la contaminación: Previene la difusión de contaminantes o impurezas, asegurando la limpieza de las obleas.

En VeTek Semiconductor, cumplimos con estrictos estándares de calidad y brindamos productos y servicios confiables a nuestros clientes. Seleccionamos solo materiales de primera calidad, esforzándonos por cumplir y superar los requisitos de rendimiento de la industria. Nuestro susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD ejemplifica este compromiso con la calidad. Contáctenos para obtener más información sobre cómo podemos satisfacer sus necesidades de procesamiento de obleas semiconductoras.

ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PELÍCULA CVD SIC:

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·k^-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m^-1·k^-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

Semiconductores VeTek MOCVD Receptor de grafito recubierto de SiC:

VeTekSemi MOCVD SiC Coated Graphite Susceptor

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