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Portador de grabado ICP recubierto de SiC

El portador de grabado ICP recubierto de SiC de VeTek Semiconductor está diseñado para las aplicaciones de equipos de epitaxia más exigentes. Hecho de material de grafito ultrapuro de alta calidad, nuestro portador de grabado ICP recubierto de SiC tiene una superficie muy plana y una excelente resistencia a la corrosión para soportar las duras condiciones durante el manejo. La alta conductividad térmica del soporte recubierto de SiC garantiza una distribución uniforme del calor para obtener excelentes resultados de grabado. VeTek Semiconductor espera construir una asociación a largo plazo con usted.

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Susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6''

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de susceptor de panqueque recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6'' en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos un susceptor de panqueque recubierto de SiC diseñado específicamente para obleas LPE PE3061S de 6'' . Este susceptor epitaxial presenta alta resistencia a la corrosión, buen rendimiento de conducción de calor y buena uniformidad. Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China.

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Soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos un soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S diseñado específicamente para el reactor de epitaxia de silicio LPE. Este soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S es la parte inferior del susceptor del barril. Puede soportar altas temperaturas de 1600 grados Celsius y prolongar la vida útil del producto de repuesto de grafito. Bienvenido a enviarnos su consulta.

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Placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos una placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S diseñada específicamente para el reactor de epitaxia de silicio LPE. Esta placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S es la mejor junto con el susceptor de barril. Esta placa recubierta de SiC CVD cuenta con alta pureza, excelente estabilidad térmica y uniformidad, lo que la hace adecuada para el cultivo de capas epitaxiales de alta calidad. Le invitamos a visitar nuestra fábrica. en China.

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Susceptor de barril recubierto de SiC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de susceptor de barril recubierto de SiC para LPE PE2061S en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos un susceptor de barril recubierto de SiC diseñado específicamente para obleas LPE PE2061S de 4''. Este susceptor cuenta con un revestimiento duradero de carburo de silicio que mejora el rendimiento y la durabilidad durante el proceso LPE (epitaxia en fase líquida). Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China.

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Cabezal de ducha de gas SiC sólido

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de cabezales de ducha de gas SiC sólido en China. Nos hemos especializado en materiales semiconductores durante muchos años. El diseño de porosidad múltiple del cabezal de ducha de gas SiC sólido VeTek Semiconductor garantiza que el calor generado en el proceso CVD se pueda dispersar. , asegurando que el sustrato se caliente de manera uniforme. Esperamos establecernos a largo plazo con usted en China.

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