La principal diferencia entre la epitaxia y la deposición de capas atómicas (ALD) radica en los mecanismos de crecimiento de la película y las condiciones de funcionamiento. La epitaxia se refiere al proceso de hacer crecer una película delgada cristalina sobre un sustrato cristalino con una relació......
Leer másEl recubrimiento CVD TAC es un proceso para formar un recubrimiento denso y duradero sobre un sustrato (grafito). Este método implica depositar TaC sobre la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que da como resultado un recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) con excelente estabilidad ......
Leer másA medida que madura el proceso de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, ON Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SiC de 8 pulgadas.
Leer másCon la creciente demanda de materiales de SiC en electrónica de potencia, optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de monocristales de SiC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como núcleo del equipo de crecimiento de monocristal ......
Leer másEl proceso de fabricación de chips incluye fotolitografía, grabado, difusión, película delgada, implantación de iones, pulido mecánico químico, limpieza, etc. Este artículo explica aproximadamente cómo se integran estos procesos en secuencia para fabricar un MOSFET.
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