¿Qué es el recubrimiento CVD TAC?

Como todos sabemos,TaCtiene un punto de fusión de hasta 3880°C, alta resistencia mecánica, dureza, resistencia al choque térmico; buena inercia química y estabilidad térmica al amoníaco, hidrógeno y vapores que contienen silicio a altas temperaturas.

Revestimiento CVD TAC, deposición química de vapor (CVD) derecubrimiento de carburo de tantalio (TaC), es un proceso para formar un recubrimiento duradero y de alta densidad sobre un sustrato (generalmente grafito). Este método implica depositar TaC sobre la superficie del sustrato a altas temperaturas, lo que da como resultado un recubrimiento con excelente estabilidad térmica y resistencia química.

Las principales ventajas de los recubrimientos CVD TaC incluyen:

Estabilidad térmica extremadamente alta: puede soportar temperaturas superiores a 2200°C.

Resistencia química: puede resistir eficazmente productos químicos agresivos como hidrógeno, amoníaco y vapor de silicio.

Fuerte adherencia: garantiza una protección duradera sin delaminación.

Alta pureza: minimiza las impurezas, lo que lo hace ideal para aplicaciones de semiconductores.

Estos recubrimientos son particularmente adecuados para entornos que requieren alta durabilidad y resistencia a condiciones extremas, como la fabricación de semiconductores y procesos industriales de alta temperatura.

En la producción industrial, es muy probable que los materiales de grafito (compuestos de carbono-carbono) recubiertos con un recubrimiento de TaC reemplacen las piezas tradicionales de grafito de alta pureza, recubrimiento de pBN, recubrimiento de SiC, etc. Además, en el campo aeroespacial, el TaC tiene un gran potencial para Se puede utilizar como revestimiento antioxidante y antiablación a alta temperatura y tiene amplias perspectivas de aplicación. Sin embargo, todavía quedan muchos desafíos para lograr la preparación de un recubrimiento de TaC denso, uniforme y que no se descame en la superficie del grafito y promover la producción industrial en masa.

En este proceso, explorar el mecanismo de protección del recubrimiento, innovar el proceso de producción y competir con el nivel extranjero más alto son cruciales para el crecimiento y la epitaxia de los cristales semiconductores de tercera generación.