> Noticias > Noticias de la Industria

Noticias de la Industria

La historia del desarrollo del 3C SiC

A través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.

Receta de deposición de capa atómica ALD

ALD espacial, deposición de capas atómicas espacialmente aisladas. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre el ALD tradicional y el ALD espacialmente aislado.

¿Avance en la tecnología de carburo de tantalio, la contaminación epitaxial de SiC se redujo en un 75%?

Recientemente, el instituto de investigación alemán Fraunhofer IISB logró un gran avance en la investigación y el desarrollo de la tecnología de recubrimiento de carburo de tantalio y desarrolló una solución de recubrimiento por aspersión que es más flexible y respetuosa con el medio ambiente que la......

Aplicación exploratoria de la tecnología de impresión 3D en la industria de los semiconductores

En una era de rápido desarrollo tecnológico, la impresión 3D, como importante representante de la tecnología de fabricación avanzada, está cambiando gradualmente la faz de la fabricación tradicional. Con la continua madurez de la tecnología y la reducción de costos, la tecnología de impresión 3D ha ......

Tecnología de preparación de epitaxia de silicio (Si)

Los materiales monocristalinos por sí solos no pueden satisfacer las necesidades de la creciente producción de diversos dispositivos semiconductores. A finales de 1959, se desarrolló una tecnología de crecimiento de material monocristalino de capa fina: el crecimiento epitaxial.

Basado en la tecnología de horno de crecimiento monocristalino de carburo de silicio de 8 pulgadas

El carburo de silicio es uno de los materiales ideales para fabricar dispositivos de alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y alto voltaje. Para mejorar la eficiencia de la producción y reducir los costos, la preparación de sustratos de carburo de silicio de gran tamaño es una dirección de......

<...6 7 8 9 10 >