A medida que madura el proceso de carburo de silicio (SiC) de 8 pulgadas, los fabricantes están acelerando el cambio de 6 pulgadas a 8 pulgadas. Recientemente, ON Semiconductor y Resonac anunciaron actualizaciones sobre la producción de SiC de 8 pulgadas.
Leer másCon la creciente demanda de materiales de SiC en electrónica de potencia, optoelectrónica y otros campos, el desarrollo de la tecnología de crecimiento de monocristales de SiC se convertirá en un área clave de innovación científica y tecnológica. Como núcleo del equipo de crecimiento de monocristal ......
Leer másEl proceso de fabricación de chips incluye fotolitografía, grabado, difusión, película delgada, implantación de iones, pulido mecánico químico, limpieza, etc. Este artículo explica aproximadamente cómo se integran estos procesos en secuencia para fabricar un MOSFET.
Leer másA través del progreso tecnológico continuo y la investigación en profundidad de los mecanismos, se espera que la tecnología heteroepitaxial 3C-SiC desempeñe un papel más importante en la industria de los semiconductores y promueva el desarrollo de dispositivos electrónicos de alta eficiencia.
Leer másALD espacial, deposición de capas atómicas espacialmente aisladas. La oblea se mueve entre diferentes posiciones y está expuesta a diferentes precursores en cada posición. La siguiente figura es una comparación entre el ALD tradicional y el ALD espacialmente aislado.
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