Susceptor de recubrimiento de SiC MOCVD

El susceptor de revestimiento de SiC MOCVD de VeTek Semiconductor está hecho de alta calidadgrafito, que se selecciona por su estabilidad térmica y excelente conductividad térmica (alrededor de 120-150 W/m·K). Las propiedades inherentes del grafito lo convierten en un material ideal para soportar las duras condiciones del interior.Reactores MOCVD. Para mejorar su rendimiento y prolongar su vida útil, el susceptor de grafito se recubre cuidadosamente con una capa de carburo de silicio (SiC).

El susceptor de revestimiento de SiC MOCVD es un componente clave utilizado endeposición química de vapor (CVD)yProcesos de deposición química de vapor de metales orgánicos (MOCVD). Su función principal es soportar y calentar obleas de silicio o carburo de silicio (SiC) y garantizar la deposición uniforme de gas en un ambiente de alta temperatura. Es un producto indispensable en el procesamiento de semiconductores.

Aplicaciones del susceptor de recubrimiento de SiC MOCVD en el procesamiento de semiconductores:

Soporte y calentamiento de obleas.:

El susceptor de recubrimiento de SiC MOCVD no solo tiene una potente función de soporte, sino que también puede calentar eficazmente elobleauniformemente para garantizar la estabilidad del proceso de deposición química de vapor. Durante el proceso de deposición, la alta conductividad térmica del recubrimiento de SiC puede transferir rápidamente energía térmica a cada área de la oblea, evitando el sobrecalentamiento local o una temperatura insuficiente, asegurando así que el gas químico pueda depositarse uniformemente en la superficie de la oblea. Este efecto uniforme de calentamiento y deposición mejora en gran medida la consistencia del procesamiento de las obleas, haciendo que el espesor de la película superficial de cada oblea sea uniforme y reduciendo la tasa de defectos, mejorando aún más el rendimiento de producción y la confiabilidad del rendimiento de los dispositivos semiconductores.

Crecimiento de epitaxia:

En elproceso MOCVD, Los portadores recubiertos de SiC son componentes clave en el proceso de crecimiento de la epitaxia. Se utilizan específicamente para soportar y calentar obleas de silicio y carburo de silicio, lo que garantiza que los materiales en la fase química de vapor se puedan depositar de manera uniforme y precisa sobre la superficie de la oblea, formando así estructuras de película delgada de alta calidad y sin defectos. Los recubrimientos de SiC no solo son resistentes a altas temperaturas, sino que también mantienen la estabilidad química en entornos de procesos complejos para evitar la contaminación y la corrosión. Por lo tanto, los portadores recubiertos de SiC desempeñan un papel vital en el proceso de crecimiento de epitaxia de dispositivos semiconductores de alta precisión, como dispositivos de potencia de SiC (como MOSFET y diodos de SiC), LED (especialmente LED azules y ultravioleta) y células solares fotovoltaicas.

Nitruro de galio (GaN)y epitaxia de arseniuro de galio (GaAs):

Los portadores recubiertos de SiC son una opción indispensable para el crecimiento de capas epitaxiales de GaN y GaAs debido a su excelente conductividad térmica y bajo coeficiente de expansión térmica. Su eficiente conductividad térmica puede distribuir uniformemente el calor durante el crecimiento epitaxial, asegurando que cada capa de material depositado pueda crecer uniformemente a una temperatura controlada. Al mismo tiempo, la baja expansión térmica del SiC le permite permanecer dimensionalmente estable bajo cambios extremos de temperatura, lo que reduce efectivamente el riesgo de deformación de la oblea, garantizando así la alta calidad y consistencia de la capa epitaxial. Esta característica convierte a los portadores recubiertos de SiC en una opción ideal para fabricar dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia (como dispositivos GaN HEMT) y dispositivos optoelectrónicos y de comunicaciones ópticas (como detectores y láseres basados ​​en GaAs).

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