Receptor de epitaxia GaN

La epitaxia de GaN es una tecnología avanzada de fabricación de semiconductores que se utiliza para producir dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento. Según los diferentes materiales del sustrato,Obleas epitaxiales de GaNse puede dividir en GaN basado en GaN, GaN basado en SiC, GaN basado en Zafiro yGaN-on-Si.

       Esquema simplificado del proceso MOCVD para generar epitaxia de GaN

En la producción de epitaxia de GaN, el sustrato no se puede simplemente colocar en algún lugar para la deposición epitaxial, porque implica varios factores como la dirección del flujo de gas, la temperatura, la presión, la fijación y la caída de contaminantes. Por lo tanto, se necesita una base, luego se coloca el sustrato sobre el disco y luego se realiza la deposición epitaxial sobre el sustrato utilizando tecnología CVD. Esta base es el susceptor de epitaxia GaN.

El desajuste de red entre SiC y GaN es pequeño porque la conductividad térmica del SiC es mucho mayor que la del GaN, Si y el zafiro. Por lo tanto, independientemente del sustrato de la oblea epitaxial de GaN, el susceptor de epitaxia de GaN con recubrimiento de SiC puede mejorar significativamente las características térmicas del dispositivo y reducir la temperatura de unión del dispositivo.

Desajuste de red y relaciones de desajuste térmico de materiales.

El susceptor de epitaxia GaN fabricado por VeTek Semiconductor tiene las siguientes características:

Material: El susceptor está hecho de grafito de alta pureza y un recubrimiento de SiC, lo que permite que el susceptor de epitaxia GaN resista altas temperaturas y proporcione una excelente estabilidad durante la fabricación epitaxial. El susceptor de epitaxia GaN de VeTek Semiconductor puede alcanzar una pureza del 99,9999 % y un contenido de impurezas inferior al 5 ppm.

Conductividad térmica: El buen rendimiento térmico permite un control preciso de la temperatura y la buena conductividad térmica del susceptor de epitaxia de GaN garantiza la deposición uniforme de epitaxia de GaN.

Estabilidad química: el recubrimiento de SiC previene la contaminación y la corrosión, por lo que el susceptor de epitaxia de GaN puede resistir el duro entorno químico del sistema MOCVD y garantizar la producción normal de epitaxia de GaN.

Diseño: El diseño estructural se realiza según las necesidades del cliente, como susceptores en forma de barril o de panqueque. Se optimizan diferentes estructuras para diferentes tecnologías de crecimiento epitaxial para garantizar un mejor rendimiento de las obleas y uniformidad de las capas.

Cualquiera que sea su necesidad de susceptor de epitaxia GaN, VeTek Semiconductor puede ofrecerle los mejores productos y soluciones. Esperamos su consulta en cualquier momento.

Propiedades físicas básicas deRecubrimiento CVD SiC:

Semillas semiconductorTiendas de susceptores de epitaxia GaN: