VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor nacional líder de anillos de enfoque CVD SiC, dedicado a brindar soluciones de productos de alto rendimiento y alta confiabilidad para la industria de semiconductores. Los anillos de enfoque CVD SiC de VeTek Semiconductor utilizan tecnología avanzada de deposición química de vapor (CVD), tienen una excelente resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión y conductividad térmica, y se utilizan ampliamente en procesos de litografía de semiconductores. Tus consultas siempre son bienvenidas.
Como base de los dispositivos electrónicos y la tecnología de la información modernos, la tecnología de semiconductores se ha convertido en una parte indispensable de la sociedad actual. Desde teléfonos inteligentes hasta computadoras, equipos de comunicación, equipos médicos y células solares, casi todas las tecnologías modernas se basan en la fabricación y aplicación de dispositivos semiconductores.
A medida que aumentan los requisitos para la integración funcional y el rendimiento de los dispositivos electrónicos, la tecnología de procesos de semiconductores también evoluciona y mejora constantemente. Como eslabón central de la tecnología de semiconductores, el proceso de grabado determina directamente la estructura y las características del dispositivo.
El proceso de grabado se utiliza para eliminar o ajustar con precisión el material en la superficie del semiconductor para formar la estructura y el patrón de circuito deseados. Estas estructuras determinan el rendimiento y la funcionalidad de los dispositivos semiconductores. El proceso de grabado puede alcanzar una precisión de nivel nanométrico, que es la base para la fabricación de circuitos integrados (CI) de alta densidad y alto rendimiento.
El anillo de enfoque CVD SiC es un componente central en el grabado en seco, que se utiliza principalmente para enfocar el plasma para que tenga mayor densidad y energía en la superficie de la oblea. Tiene la función de distribuir uniformemente el gas. VeTek Semiconductor cultiva SiC capa por capa a través del proceso CVD y finalmente obtiene el anillo de enfoque CVD SiC. El anillo de enfoque CVD SiC preparado puede cumplir perfectamente con los requisitos del proceso de grabado.
El anillo de enfoque CVD SiC es excelente en propiedades mecánicas, propiedades químicas, conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas, resistencia al grabado de iones, etc.
● La alta densidad reduce el volumen de grabado.
● Banda prohibida alta y excelente aislamiento
● Alta conductividad térmica, bajo coeficiente de expansión y resistencia al choque térmico.
● Alta elasticidad y buena resistencia al impacto mecánico.
● Alta dureza, resistencia al desgaste y resistencia a la corrosión.
Semiconductores VeTektiene las principales capacidades de procesamiento de CVD SiC Focus Ring en China. Mientras tanto, el maduro equipo técnico y el equipo de ventas de VeTek Semiconductor nos ayudan a ofrecer a los clientes los productos de anillo de enfoque más adecuados. Elegir semiconductores VeTek significa asociarse con una empresa comprometida con ampliar los límites decarburo de silicio CVD innovación.
Con un fuerte énfasis en la calidad, el rendimiento y la satisfacción del cliente, ofrecemos productos que no solo cumplen sino que superan las rigurosas demandas de la industria de los semiconductores. Permítanos ayudarle a lograr una mayor eficiencia, confiabilidad y éxito en sus operaciones con nuestras soluciones avanzadas de carburo de silicio CVD.
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad del recubrimiento de SiC
3,21 g/cm³
Dureza del recubrimiento de SiC
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano
2~10μm
Pureza química
99,99995%
Capacidad calorífica
640 J·kg-1·k-1
Temperatura de sublimación
2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young
Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W·m-1·k-1
Expansión Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1