Protector de revestimiento CVD SiC

Vetek Semiconductor proporciona un protector de revestimiento de SiC CVD utilizado como epitaxia de SiC LPE. El término "LPE" generalmente se refiere a epitaxia de baja presión (LPE) en deposición química de vapor a baja presión (LPCVD). En la fabricación de semiconductores, LPE es una tecnología de proceso importante para el cultivo de películas delgadas de cristal único, que a menudo se utiliza para cultivar capas epitaxiales de silicio u otras capas epitaxiales de semiconductores. No dude en contactarnos si tiene más preguntas.

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Descripción del Producto

El fabricante chino Vetek Semiconductor ofrece un protector de revestimiento CVD SiC de alta calidad. Compre protector de revestimiento CVD SiC que sea de alta calidad directamente a bajo precio.

La epitaxia LPE SiC se refiere al uso de tecnología de epitaxia de baja presión (LPE) para hacer crecer capas de epitaxia de carburo de silicio sobre sustratos de carburo de silicio. El SiC es un excelente material semiconductor, con alta conductividad térmica, alto voltaje de ruptura, alta velocidad de deriva de electrones saturados y otras excelentes propiedades, y se utiliza a menudo en la fabricación de dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.

La epitaxia LPE SiC es una técnica de crecimiento comúnmente utilizada que utiliza los principios de la deposición química de vapor (CVD) para depositar un material de carburo de silicio sobre un sustrato para formar la estructura cristalina deseada en las condiciones adecuadas de temperatura, atmósfera y presión. Esta técnica de epitaxia puede controlar la coincidencia de la red, el grosor y el tipo de dopaje de la capa de epitaxia, afectando así el rendimiento del dispositivo.

Los beneficios de la epitaxia LPE SiC incluyen:

Alta calidad de cristal: LPE puede producir cristales de alta calidad a altas temperaturas.

Control de los parámetros de la capa epitaxial: el espesor, el dopaje y la coincidencia de la red de la capa epitaxial se pueden controlar con precisión para cumplir con los requisitos de un dispositivo específico.

Adecuado para dispositivos específicos: las capas epitaxiales de SiC son adecuadas para fabricar dispositivos semiconductores con requisitos especiales, como dispositivos de potencia, dispositivos de alta frecuencia y dispositivos de alta temperatura.

En la epitaxia LPE SiC, un producto típico son las partes de media luna. El protector de revestimiento CVD SiC aguas arriba y aguas abajo, ensamblado en la segunda mitad de las piezas en forma de media luna, está conectado con un tubo de cuarzo, que puede pasar gas para hacer girar la base de la bandeja y controlar la temperatura. Es una parte importante de la epitaxia del carburo de silicio.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1