Boquilla de recubrimiento CVD SiC

VeTek Semiconductor es un fabricante especializado de accesorios de recubrimiento CVD SiC para dispositivos epitaxiales como piezas de media luna con recubrimiento CVD SiC y sus boquillas de recubrimiento CVD SiC accesorias. Bienvenido a consultarnos.

PE1O8 es un sistema de cartuchos a cartuchos completamente automático diseñado para manejar obleas de SiC de hasta 200 mm. El formato se puede cambiar entre 150 y 200 mm, minimizando el tiempo de inactividad de la herramienta. La reducción de las etapas de calentamiento aumenta la productividad, mientras que la automatización reduce la mano de obra y mejora la calidad y la repetibilidad. Para garantizar un proceso de epitaxia eficiente y rentable, se informan tres factores principales: 1) proceso rápido, 2) alta uniformidad de espesor y dopaje, y 3) minimización de la formación de defectos durante el proceso de epitaxia. En el PE1O8, la pequeña masa de grafito y el sistema automático de carga/descarga permiten completar una ejecución estándar en menos de 75 minutos (la formulación estándar del diodo Schottky de 10 μm utiliza una tasa de crecimiento de 30 μm/h). Sistema automático que permite la carga/descarga a altas temperaturas. Como resultado, los tiempos de calentamiento y enfriamiento son cortos, mientras que se ha inhibido la etapa de horneado. Esta condición ideal permite el crecimiento de verdaderos materiales no dopados.

En el proceso de epitaxia de carburo de silicio, las boquillas de recubrimiento CVD SiC desempeñan un papel crucial en el crecimiento y la calidad de las capas epitaxiales. Aquí está la explicación ampliada del papel de las boquillas en la epitaxia de carburo de silicio:

Suministro y control de gas: Las boquillas se utilizan para suministrar la mezcla de gases requerida durante la epitaxia, incluido el gas fuente de silicio y el gas fuente de carbono. A través de las boquillas, el flujo y las proporciones del gas se pueden controlar con precisión para garantizar un crecimiento uniforme de la capa epitaxial y la composición química deseada.

Control de temperatura: las boquillas también ayudan a controlar la temperatura dentro del reactor de epitaxia. En la epitaxia de carburo de silicio, la temperatura es un factor crítico que afecta la tasa de crecimiento y la calidad del cristal. Al proporcionar calor o gas refrigerante a través de las boquillas, la temperatura de crecimiento de la capa epitaxial se puede ajustar para condiciones de crecimiento óptimas.

Distribución del flujo de gas: el diseño de las boquillas influye en la distribución uniforme del gas dentro del reactor. La distribución uniforme del flujo de gas garantiza la uniformidad de la capa epitaxial y un espesor constante, evitando problemas relacionados con la falta de uniformidad en la calidad del material.

Prevención de la contaminación por impurezas: el diseño y uso adecuados de las boquillas pueden ayudar a prevenir la contaminación por impurezas durante el proceso de epitaxia. El diseño adecuado de la boquilla minimiza la probabilidad de que entren impurezas externas al reactor, asegurando la pureza y calidad de la capa epitaxial.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Talleres de producción:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: