Receptor MOCVD Aixtron

Como fabricante y proveedor profesional del susceptor Aixtron MOCVD en China, el susceptor Aixtron MOCVD de Vetek Semiconductor se utiliza ampliamente en el proceso de deposición de película delgada de la producción de semiconductores, especialmente en el proceso MOCVD. Vetek Semiconductor se centra en la fabricación y suministro de productos Aixtron MOCVD Susceptor de alto rendimiento. Bienvenido a su consulta.

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Descripción del Producto

Los Susceptores producidos porSemiconductores Vetekestán hechos de sustrato de grafito y material de recubrimiento de carburo de silicio (SiC). Dada la mayor resistencia al desgaste, la resistencia a la corrosión y la dureza extremadamente alta del material SiC, es particularmente adecuado para su uso en entornos de proceso hostiles. Por lo tanto, los susceptores producidos por Vetek Semiconductor se pueden utilizar directamente en procesos MOCVD de alta temperatura sin tratamiento superficial adicional.

Los susceptores son componentes clave en la fabricación de semiconductores, especialmente en equipos MOCVD para procesos de deposición de películas delgadas. El papel principal deReceptor SiC Aixtronen el proceso MOCVD es transportar obleas semiconductoras, garantizar la deposición uniforme y de alta calidad de películas delgadas al proporcionar una distribución uniforme del calor y un entorno de reacción, logrando así una producción de películas delgadas de alta calidad.

Receptor MOCVD AixtronSe utiliza generalmente para soportar y fijar la base de obleas semiconductoras para garantizar la estabilidad de la oblea durante el proceso de deposición. Al mismo tiempo, el revestimiento de la superficie del Aixtron MOCVD Susceptor está hecho de carburo de silicio (SiC), un material altamente conductor térmico. El recubrimiento de SiC garantiza una temperatura uniforme en la superficie de la oblea y un calentamiento uniforme es esencial para obtener películas de alta calidad.

Además, elReceptor MOCVD Aixtronque producimos juega un papel más importante en el control del flujo y la distribución de gases reactivos a través del diseño optimizado de los materiales. Evite las corrientes parásitas y los gradientes de temperatura para lograr una deposición uniforme de la película.

Más importante aún, en el proceso MOCVD, el material de recubrimiento de carburo de silicio (SiC) tiene resistencia a la corrosión, por lo queSemiconductores Vetek'sReceptor MOCVD AixtronTambién puede soportar altas temperaturas y gases corrosivos.

Propiedades físicas básicas deRECUBRIMIENTO SIC: