El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio es un producto indispensable en el proceso de procesamiento de semiconductores, especialmente en el proceso de crecimiento de cristales SIC. Después de una continua inversión en I+D y actualizaciones tecnológicas, la calidad del producto de grafito poroso recubierto de TaC de VeTek Semiconductor ha recibido grandes elogios de los clientes europeos y americanos. Bienvenido a su consulta adicional.
El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio semiconductor VeTek se ha convertido en un cristal de carburo de silicio (SiC) debido a su resistencia a altas temperaturas (punto de fusión alrededor de 3880 °C), excelente estabilidad térmica, resistencia mecánica e inercia química en ambientes de alta temperatura. Un material indispensable en el proceso de crecimiento. En particular, su estructura porosa proporciona muchas ventajas técnicas para elproceso de crecimiento de cristales.
● Mejore la eficiencia del flujo de gas y controle con precisión los parámetros del proceso
La estructura microporosa del grafito poroso puede promover la distribución uniforme de los gases de reacción (como el gas de carburo y el nitrógeno), optimizando así la atmósfera en la zona de reacción. Esta característica puede evitar eficazmente la acumulación local de gas o problemas de turbulencia, garantizar que los cristales de SiC se estresen uniformemente durante todo el proceso de crecimiento y que la tasa de defectos se reduzca considerablemente. Al mismo tiempo, la estructura porosa también permite un ajuste preciso de los gradientes de presión del gas, optimizando aún más las tasas de crecimiento de los cristales y mejorando la consistencia del producto.
● Reducir la acumulación de estrés térmico y mejorar la integridad del cristal.
En operaciones de alta temperatura, las propiedades elásticas del carburo de tantalio poroso (TaC) mitigan significativamente las concentraciones de tensión térmica causadas por las diferencias de temperatura. Esta capacidad es particularmente importante cuando se cultivan cristales de SiC, ya que reduce el riesgo de formación de grietas térmicas y mejora así la integridad de la estructura cristalina y la estabilidad del procesamiento.
● Optimice la distribución del calor y mejore la eficiencia en el uso de la energía.
El recubrimiento de carburo de tantalio no solo le da al grafito poroso una mayor conductividad térmica, sino que sus características porosas también pueden distribuir el calor de manera uniforme, asegurando una distribución de temperatura altamente consistente dentro del área de reacción. Esta gestión térmica uniforme es la condición fundamental para producir cristales de SiC de alta pureza. También puede mejorar significativamente la eficiencia de la calefacción, reducir el consumo de energía y hacer que el proceso de producción sea más económico y eficiente.
● Mejore la resistencia a la corrosión y extienda la vida útil de los componentes.
Los gases y subproductos en entornos de alta temperatura (como la fase de vapor de hidrógeno o carburo de silicio) pueden provocar una corrosión grave de los materiales. El revestimiento TaC proporciona una excelente barrera química al grafito poroso, lo que reduce significativamente la tasa de corrosión del componente y extiende así su vida útil. Además, el recubrimiento asegura la estabilidad a largo plazo de la estructura porosa, asegurando que las propiedades de transporte de gas no se vean afectadas.
● Bloquea eficazmente la difusión de impurezas y garantiza la pureza del cristal.
La matriz de grafito sin recubrimiento puede liberar trazas de impurezas y el recubrimiento de TaC actúa como una barrera de aislamiento para evitar que estas impurezas se difundan en el cristal de SiC en un ambiente de alta temperatura. Este efecto de blindaje es fundamental para mejorar la pureza del cristal y ayudar a cumplir los estrictos requisitos de la industria de semiconductores en cuanto a materiales de SiC de alta calidad.
El grafito poroso recubierto de carburo de tantalio de VeTek semiconductor mejora significativamente la eficiencia del proceso y la calidad del cristal al optimizar el flujo de gas, reducir el estrés térmico, mejorar la uniformidad térmica, mejorar la resistencia a la corrosión e inhibir la difusión de impurezas durante el proceso de crecimiento de cristales de SiC. La aplicación de este material no sólo garantiza una alta precisión y pureza en la producción, sino que también reduce en gran medida los costes operativos, lo que lo convierte en un pilar importante en la fabricación moderna de semiconductores.
Más importante aún, VeTeksemi se ha comprometido durante mucho tiempo a proporcionar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria de fabricación de semiconductores, y respalda servicios personalizados de productos de grafito poroso recubierto de carburo de tantalio. Esperamos sinceramente convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Propiedades físicas del recubrimiento TaC. |
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Densidad del recubrimiento TaC |
14,3 (g/cm³) |
Emisividad específica |
0.3 |
Coeficiente de expansión térmica |
6,3*10-6/K |
Dureza del recubrimiento TaC (HK) |
2000 Hong Kong |
Resistencia del recubrimiento de carburo de tantalio |
1×10-5Ohmios*cm |
Estabilidad térmica |
<2500℃ |
Cambios de tamaño de grafito |
-10~-20um |
Espesor del revestimiento |
Valor típico ≥20um (35um±10um) |