VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de cubiertas recubiertas de carburo de tantalio en China. Nos hemos especializado en recubrimientos de TaC y SiC durante muchos años. Nuestros productos tienen resistencia a la corrosión y alta resistencia. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Encuentre una gran selección de cubiertas recubiertas de carburo de tantalio de China en VeTek Semiconductor. Brinde un servicio posventa profesional y el precio correcto, esperando cooperar. La cubierta recubierta de carburo de tantalio desarrollada por VeTek Semiconductor es un accesorio diseñado específicamente para el sistema AIXTRON G10 MOCVD, con el objetivo de optimizar la eficiencia y mejorar la calidad de fabricación de semiconductores. Está meticulosamente elaborado con materiales de alta calidad y fabricado con la máxima precisión, lo que garantiza un rendimiento y una confiabilidad excepcionales para los procesos de deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD).
Construida con un sustrato de grafito recubierto con carburo de tantalio (TaC) por deposición química de vapor (CVD), la cubierta recubierta de carburo de tantalio ofrece una estabilidad térmica excepcional, alta pureza y resistencia a temperaturas elevadas. Esta combinación única de materiales proporciona una solución confiable para las exigentes condiciones operativas del sistema MOCVD.
La cubierta recubierta de carburo de tantalio se puede personalizar para adaptarse a varios tamaños de obleas semiconductoras, lo que la hace adecuada para diversos requisitos de producción. Su construcción robusta está diseñada específicamente para resistir el desafiante entorno MOCVD, lo que garantiza un rendimiento duradero y minimiza el tiempo de inactividad y los costos de mantenimiento asociados con los portadores de obleas y susceptores.
Al incorporar la cubierta TaC en el sistema AIXTRON G10 MOCVD, los fabricantes de semiconductores pueden lograr una mayor eficiencia y resultados superiores. La excepcional estabilidad térmica, la compatibilidad con diferentes tamaños de oblea y el rendimiento confiable del disco planetario lo convierten en una herramienta indispensable para optimizar la eficiencia de la producción y lograr resultados sobresalientes en el proceso MOCVD.
Propiedades físicas del recubrimiento TaC. | |
Densidad | 14,3 (g/cm³) |
Emisividad específica | 0.3 |
Coeficiente de expansión térmica | 6.3 10-6/K |
Dureza (HK) | 2000 Hong Kong |
Resistencia | 1×10-5Ohmios*cm |
Estabilidad térmica | <2500℃ |
Cambios de tamaño de grafito | -10~-20um |
Espesor del recubrimiento | Valor típico ≥20um (35um±10um) |