El susceptor planetario con revestimiento TaC de VeTek Semiconductor es un producto excepcional para los equipos de epitaxia de Aixtron. El robusto revestimiento de TaC proporciona una excelente resistencia a altas temperaturas e inercia química. Esta combinación única garantiza un rendimiento confiable y una larga vida útil, incluso en entornos exigentes. VeTek se compromete a ofrecer productos de alta calidad y servir como socio a largo plazo en el mercado chino con precios competitivos.
En el ámbito de la fabricación de semiconductores, el susceptor planetario con revestimiento TaC desempeña un papel crucial. Se utiliza ampliamente en el crecimiento de capas epitaxiales de carburo de silicio (SiC) en equipos como el sistema Aixtron G5. Además, cuando se utiliza como disco exterior en la deposición de recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) para epitaxia de SiC, el susceptor planetario de recubrimiento de TaC proporciona soporte y estabilidad esenciales. Garantiza la deposición uniforme de la capa de carburo de tantalio, lo que contribuye a la formación de capas epitaxiales de alta calidad con una excelente morfología superficial y el espesor de película deseado. La inercia química del recubrimiento TaC previene reacciones no deseadas y contaminación, manteniendo la integridad de las capas epitaxiales y asegurando su calidad superior.
La excepcional conductividad térmica del recubrimiento TaC permite una transferencia de calor eficiente, promoviendo una distribución uniforme de la temperatura y minimizando el estrés térmico durante el proceso de crecimiento epitaxial. Esto da como resultado la producción de capas epitaxiales de SiC de alta calidad con propiedades cristalográficas mejoradas y conductividad eléctrica mejorada.
Las dimensiones precisas y la construcción robusta del disco planetario con revestimiento TaC facilitan su integración en los sistemas existentes, lo que garantiza una compatibilidad perfecta y un funcionamiento eficiente. Su rendimiento confiable y su recubrimiento de TaC de alta calidad contribuyen a obtener resultados consistentes y uniformes en los procesos de epitaxia de SiC.
Confíe en VeTek Semiconductor y nuestro disco planetario con revestimiento TaC para obtener un rendimiento y una confiabilidad excepcionales en epitaxia de SiC. Experimente las ventajas de nuestras soluciones innovadoras, que lo posicionan a la vanguardia de los avances tecnológicos en la industria de los semiconductores.
Propiedades físicas del recubrimiento TaC. | |
Densidad | 14,3 (g/cm³) |
Emisividad específica | 0.3 |
Coeficiente de expansión térmica | 6,3 10-6/K |
Dureza (HK) | 2000 Hong Kong |
Resistencia | 1×10-5 ohmios*cm |
Estabilidad térmica | <2500℃ |
Cambios de tamaño de grafito | -10~-20um |
Espesor del revestimiento | Valor típico ≥20um (35um±10um) |