Mandril de recubrimiento TaC

El mandril de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor es la solución ideal para lograr resultados excepcionales en el proceso SiC EPI. Con su recubrimiento TaC, resistencia a altas temperaturas e inercia química, nuestro producto le permite producir cristales de alta calidad con precisión y confiabilidad. Bienvenido a consultarnos.

TaC (carburo de tantalio) es un material comúnmente utilizado para recubrir la superficie de las partes internas de los equipos epitaxiales. Tiene las siguientes características:

● Excelente resistencia a altas temperaturas: Los recubrimientos de TaC pueden soportar temperaturas de hasta 2200 °C, lo que los hace ideales para aplicaciones en entornos de alta temperatura, como cámaras de reacción epitaxiales.

● Alta dureza: La dureza del TaC alcanza aproximadamente 2000 HK, que es mucho más duro que el acero inoxidable o la aleación de aluminio de uso común, lo que puede prevenir eficazmente el desgaste de la superficie.

● Fuerte estabilidad química: El recubrimiento TaC funciona bien en ambientes químicamente corrosivos y puede extender en gran medida la vida útil de los componentes del equipo epitaxial.

● Buena conductividad eléctrica: El revestimiento de TaC tiene buena conductividad eléctrica, lo que favorece la liberación electrostática y la conducción de calor.

Estas propiedades hacen que el recubrimiento de TaC sea un material ideal para fabricar piezas críticas como casquillos internos, paredes de cámaras de reacción y elementos calefactores para equipos epitaxiales. Al recubrir estos componentes con TaC, se puede mejorar el rendimiento general y la vida útil del equipo epitaxial.

Para la epitaxia de carburo de silicio, el trozo de recubrimiento de TaC también puede desempeñar un papel importante. La superficie de TaC El recubrimiento es suave y denso, lo que favorece la formación de películas de carburo de silicio de alta calidad. Al mismo tiempo, la excelente conductividad térmica del TaC puede ayudar a mejorar la uniformidad de la distribución de temperatura dentro del equipo, mejorando así la precisión del control de temperatura del proceso epitaxial y, en última instancia, logrando un crecimiento de la capa epitaxial de carburo de silicio de mayor calidad.