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Recubrimiento de SiC Bandeja epitaxial de silicio monocristalino
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Recubrimiento de SiC Bandeja epitaxial de silicio monocristalino

La bandeja epitaxial de silicio monocristalino con revestimiento de SiC es un accesorio importante para el horno de crecimiento epitaxial de silicio monocristalino, ya que garantiza una contaminación mínima y un entorno de crecimiento epitaxial estable. La bandeja epitaxial de silicio monocristalino con revestimiento de SiC de VeTek Semiconductor tiene una vida útil ultralarga y ofrece una variedad de opciones de personalización. VeTek Semiconductor espera convertirse en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

La bandeja epitaxial de silicio monocristalino con recubrimiento de SiC de VeTek semiconductor está especialmente diseñada para el crecimiento epitaxial de silicio monocristalino y desempeña un papel importante en la aplicación industrial de la epitaxia de silicio monocristalino y dispositivos semiconductores relacionados.Recubrimiento de SiCno solo mejora significativamente la resistencia a la temperatura y la corrosión de la bandeja, sino que también garantiza una estabilidad a largo plazo y un excelente rendimiento en entornos extremos.


Ventajas del recubrimiento de SiC


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

●  Alta conductividad térmica: El recubrimiento de SiC mejora en gran medida la capacidad de gestión térmica de la bandeja y puede dispersar eficazmente el calor generado por dispositivos de alta potencia.


●  Resistencia a la corrosión: El recubrimiento de SiC funciona bien en entornos corrosivos y de alta temperatura, lo que garantiza una vida útil y confiabilidad a largo plazo.


●  uniformidad de la superficie: Proporciona una superficie plana y lisa, evitando eficazmente errores de fabricación causados ​​por irregularidades de la superficie y asegurando la estabilidad del crecimiento epitaxial.


Según la investigación, cuando el tamaño de poro del sustrato de grafito está entre 100 y 500 nm, se puede preparar un recubrimiento en gradiente de SiC sobre el sustrato de grafito, y el recubrimiento de SiC tiene una capacidad antioxidante más fuerte. La resistencia a la oxidación del revestimiento de SiC de este grafito (curva triangular) es mucho más fuerte que la de otras especificaciones de grafito, adecuado para el crecimiento de epitaxia de silicio monocristalino. La bandeja epitaxial de silicio monocristalino con revestimiento de SiC de VeTek Semiconductor utiliza grafito SGL comosustrato de grafito, que es capaz de lograr tal rendimiento.


La bandeja epitaxial de silicio monocristalino con revestimiento de SiC de VeTek Semiconductor utiliza los mejores materiales y la tecnología de procesamiento más avanzada. Lo más importante es que, independientemente de las necesidades de personalización de productos que tengan los clientes, podemos hacer todo lo posible para satisfacerlas.


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad
Valor típico
Estructura cristalina
FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad
3,21 g/cm³
Dureza
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
grano size
2~10μm
Pureza química
99,99995%
Capacidad calorífica
640 J·kg-1·k-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión
415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young
Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica
300W·m-1·k-1
Expansión Térmica (CTE)
4,5×10-6K-1

Talleres de producción de semiconductores VeTek


Graphite epitaxial substrateSemiconductor heating furnace equipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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