En el crecimiento de monocristales de SiC y AlN mediante el método de transporte físico de vapor (PVT), componentes cruciales como el crisol, el soporte de semillas y el anillo guía desempeñan un papel vital. Como se muestra en la Figura 2 [1], durante el proceso PVT, el cristal semilla se coloca en......
Leer másLos sustratos de carburo de silicio tienen muchos defectos y no pueden procesarse directamente. Es necesario hacer crecer sobre ellos una película delgada de un solo cristal específica mediante un proceso epitaxial para producir obleas de chips. Esta fina película es la capa epitaxial. Casi todos lo......
Leer másEl material de la capa epitaxial de carburo de silicio es carburo de silicio, que generalmente se utiliza para fabricar dispositivos electrónicos de alta potencia y LED. Se utiliza ampliamente en la industria de los semiconductores debido a su excelente estabilidad térmica, resistencia mecánica y al......
Leer másEl carburo de silicio sólido tiene excelentes propiedades como estabilidad a altas temperaturas, alta dureza, buena resistencia a la abrasión y buena estabilidad química, por lo que tiene una amplia gama de aplicaciones. Las siguientes son algunas aplicaciones del carburo de silicio sólido:
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