> Noticias

Noticias

Oblea de sustrato semiconductor: propiedades materiales del silicio, GaAs, SiC y GaN

El artículo analiza las propiedades materiales de obleas de sustrato semiconductor como silicio, GaAs, SiC y GaN.

Tecnología de epitaxia de baja temperatura basada en GaN

Este artículo describe principalmente la tecnología epitaxial de baja temperatura basada en GaN, incluida la estructura cristalina de los materiales basados en GaN, 3. los requisitos de la tecnología epitaxial y las soluciones de implementación, las ventajas de la tecnología epitaxial de baja temp......

¿Cuál es la diferencia entre CVD TaC y TaC sinterizado?

Este artículo presenta primero la estructura molecular y las propiedades físicas del TaC y se centra en las diferencias y aplicaciones del carburo de tantalio sinterizado y el carburo de tantalio CVD, así como en los populares productos de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor.

¿Cómo preparar el recubrimiento CVD TaC?

Este artículo presenta las características del producto del recubrimiento CVD TaC, el proceso de preparación del recubrimiento CVD TaC utilizando el método CVD y el método básico para la detección de la morfología de la superficie del recubrimiento CVD TaC preparado.

¿Qué es el recubrimiento de carburo de tantalio?

Este artículo presenta las características del producto del recubrimiento TaC, el proceso específico de preparación de productos de recubrimiento TaC mediante el proceso CVD y presenta el recubrimiento TaC más popular de VeTek Semiconductor.

¿Por qué el recubrimiento de SiC es un material central clave para el crecimiento epitaxial de SiC?

Este artículo analiza las razones por las que el recubrimiento de SiC es un material central clave para el crecimiento epitaxial de SiC y se centra en las ventajas específicas del recubrimiento de SiC en la industria de los semiconductores.

<...3 4 5 6 7...10 >