LPE SiC EPI Media Luna

LPE SiC Epi Halfmoon de VeTek Semiconductor, un producto revolucionario diseñado para elevar los procesos de epitaxia de SiC del reactor LPE. Esta solución de vanguardia cuenta con varias características clave que garantizan un rendimiento y una eficiencia superiores en todas sus operaciones de fabricación. Esperamos establecer una cooperación a largo plazo con usted.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

Como fabricante profesional, VeTek Semiconductor desea ofrecerle LPE SiC Epi Halfmoon de alta calidad.

El LPE SiC Epi Halfmoon ofrece precisión y exactitud excepcionales, garantizando un crecimiento uniforme y capas epitaxiales de alta calidad. Su diseño innovador y técnicas de fabricación avanzadas brindan un soporte óptimo para las obleas y una gestión térmica, brindando resultados consistentes y minimizando los defectos.

Además, el LPE SiC Epi Halfmoon está recubierto con una capa de carburo de tantalio (TaC) de primera calidad, lo que mejora su rendimiento y durabilidad. Este recubrimiento de TaC mejora significativamente la conductividad térmica, la resistencia química y la resistencia al desgaste, protegiendo el producto y extendiendo su vida útil.

La integración del recubrimiento TaC en LPE SiC Epi Halfmoon aporta mejoras significativas al flujo de su proceso. Mejora la gestión térmica, asegurando una disipación eficiente del calor y manteniendo una temperatura de crecimiento estable. Esta mejora conduce a una mayor estabilidad del proceso, una reducción del estrés térmico y un mejor rendimiento general.

Además, el revestimiento de TaC minimiza la contaminación del material, lo que permite un producto más limpio y más

proceso de epitaxia controlada. Actúa como una barrera contra reacciones e impurezas no deseadas, lo que da como resultado capas epitaxiales de mayor pureza y un mejor rendimiento del dispositivo.

Elija LPE SiC Epi Halfmoon de VeTek Semiconductor para procesos de epitaxia incomparables. Experimente los beneficios de su diseño avanzado, precisión y el poder transformador del recubrimiento TaC para optimizar sus operaciones de fabricación. Eleve su rendimiento y logre resultados excepcionales con la solución líder en la industria de VeTek Semiconductor.

Parámetro del producto LPE SiC Epi Halfmoon:

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6,3 10-6/K
Dureza (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10-5 ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del revestimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)