Anillo guía de tres pétalos recubierto de CVD TaC

VeTek Semiconductor ha experimentado muchos años de desarrollo tecnológico y ha dominado la tecnología de proceso líder de recubrimiento CVD TaC. El anillo guía de tres pétalos recubierto de CVD TaC es uno de los productos de recubrimiento CVD TaC más maduros de VeTek Semiconductor y es un componente importante para preparar cristales de SiC mediante el método PVT. Con la ayuda de VeTek Semiconductor, creo que su producción de cristales de SiC será más fluida y eficiente.

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Descripción del Producto

El material de sustrato monocristalino de carburo de silicio es un tipo de material cristalino que pertenece al material semiconductor de banda prohibida amplia. Tiene las ventajas de resistencia a alto voltaje, resistencia a altas temperaturas, alta frecuencia, bajas pérdidas, etc. Es un material básico para la preparación de dispositivos electrónicos de alta potencia y dispositivos de radiofrecuencia de microondas. En la actualidad, los principales métodos para cultivar cristales de SiC son el transporte físico de vapor (método PVT), la deposición química de vapor a alta temperatura (método HTCVD), el método en fase líquida, etc.

Working diagram of CVD TaC coated three-petal guide ring

El método PVT es un método relativamente maduro que es más adecuado para la producción industrial en masa. Al colocar el cristal semilla de SiC en la parte superior del crisol y colocar el polvo de SiC como materia prima en el fondo del crisol, en un ambiente cerrado de alta temperatura y baja presión, el polvo de SiC se sublima y se transfiere hacia arriba a las proximidades. del cristal semilla bajo la acción del gradiente de temperatura y la diferencia de concentración, y se recristaliza después de alcanzar el estado sobresaturado, se puede lograr el crecimiento controlable del tamaño del cristal de SiC y del tipo de cristal específico.

La función principal del anillo guía de tres pétalos recubierto de CVD TaC es mejorar la mecánica de fluidos, guiar el flujo de gas y ayudar al área de crecimiento de cristales a obtener una atmósfera uniforme. También disipa eficazmente el calor y mantiene el gradiente de temperatura durante el crecimiento de los cristales de SiC, optimizando así las condiciones de crecimiento de los cristales de SiC y evitando defectos en los cristales causados por una distribución desigual de la temperatura.

Excelente rendimiento del recubrimiento CVD TaC

● Pureza ultraalta: Evita la generación de impurezas y contaminación.

● Estabilidad a altas temperaturas: La estabilidad de alta temperatura por encima de 2500 °C permite el funcionamiento a temperatura ultraalta.

● Tolerancia al ambiente químico: Tolerancia a H(2), NH(3), SiH(4) y Si, proporcionando protección en entornos químicos hostiles.

● Larga vida sin derramamiento: Una unión fuerte con el cuerpo de grafito puede garantizar un ciclo de vida prolongado sin que se desprenda el revestimiento interior.

● Resistencia al choque térmico: La resistencia al choque térmico acelera el ciclo de operación.

●Tolerancia dimensional estricta: Garantiza que la cobertura del recubrimiento cumpla con estrictas tolerancias dimensionales.

VeTek Semiconductor cuenta con un equipo de soporte técnico y un equipo de ventas profesional y maduro que puede personalizar los productos y soluciones más adecuados para usted. Desde la preventa hasta la posventa, VeTek Semiconductor siempre se compromete a brindarle los servicios más completos e integrales.

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad del recubrimiento TaC	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6.3 10^-6/K
Dureza del recubrimiento TaC (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10^-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del revestimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)
Conductividad térmica	9-22(W/m·K)

Tiendas de productos de anillos guía de tres pétalos recubiertos con CVD TaC de VeTek Semiconductor

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