Bandeja portadora de obleas

Vetek Semiconductor se especializa en asociarse con sus clientes para producir diseños personalizados para Wafer Carrier Tray. La bandeja Wafer Carrier se puede diseñar para su uso en epitaxia de silicio CVD, epitaxia III-V y epitaxia de nitruro III, epitaxia de carburo de silicio. Comuníquese con Vetek semiconductor con respecto a sus requisitos de susceptor.

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Descripción del Producto

Puede estar seguro de comprar la bandeja Wafer Carrier en nuestra fábrica.

Vetek semiconductor proporciona principalmente piezas de grafito con recubrimiento CVD SiC, como bandejas portadoras de obleas para equipos semiconductores SiC-CVD de tercera generación, y se dedica a proporcionar equipos de producción avanzados y competitivos para la industria. El equipo SiC-CVD se utiliza para el crecimiento de una capa epitaxial de película delgada homogénea de un solo cristal sobre un sustrato de carburo de silicio, la lámina epitaxial de SiC se usa principalmente para fabricar dispositivos de energía como diodos Schottky, IGBT, MOSFET y otros dispositivos electrónicos.

El equipo combina estrechamente el proceso y el equipo. El equipo SiC-CVD tiene ventajas obvias en alta capacidad de producción, compatibilidad con 6/8 de pulgada, costo competitivo, control de crecimiento automático continuo para múltiples hornos, baja tasa de defectos, conveniencia de mantenimiento y confiabilidad a través del diseño de control de campo de temperatura y control de campo de flujo. Combinado con la bandeja portadora de oblea recubierta de SiC proporcionada por nuestro Vetek Semiconductor, puede mejorar la eficiencia de producción del equipo, extender la vida útil y controlar el costo.

La bandeja portadora de obleas de Vetek Semiconductor tiene principalmente alta pureza, buena estabilidad del grafito, alta precisión de procesamiento, además de recubrimiento CVD SiC y estabilidad a altas temperaturas: los recubrimientos de carburo de silicio tienen una excelente estabilidad a altas temperaturas y protegen el sustrato del calor y la corrosión química en ambientes con temperaturas extremadamente altas. .

Dureza y resistencia al desgaste: los recubrimientos de carburo de silicio suelen tener una dureza elevada, proporcionando una excelente resistencia al desgaste y alargando la vida útil del sustrato.

Resistencia a la corrosión: el recubrimiento de carburo de silicio es resistente a la corrosión de muchos productos químicos y puede proteger el sustrato de daños por corrosión.

Coeficiente de fricción reducido: los recubrimientos de carburo de silicio suelen tener un coeficiente de fricción bajo, lo que puede reducir las pérdidas por fricción y mejorar la eficiencia de trabajo de los componentes.

Conductividad térmica: el recubrimiento de carburo de silicio suele tener una buena conductividad térmica, lo que puede ayudar al sustrato a dispersar mejor el calor y mejorar el efecto de disipación de calor de los componentes.

En general, el recubrimiento de carburo de silicio CVD puede proporcionar protección múltiple para el sustrato, extender su vida útil y mejorar su rendimiento.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1