Crisol para silicio monocristalino

En el método CZ (Czochralski), se cultiva un monocristal poniendo en contacto una semilla monocristalina con silicio policristalino fundido. La semilla se tira gradualmente hacia arriba mientras se gira lentamente. En este proceso se utiliza un número importante de piezas de grafito, lo que lo convierte en el método que emplea mayor cantidad de componentes de grafito en la fabricación de semiconductores de silicio.

La siguiente imagen proporciona una representación esquemática de un horno de fabricación de monocristal de silicio basado en el método CZ.

El crisol para silicio monocristalino de Vetek Semiconductor proporciona un entorno estable y controlado crucial para la formación precisa de cristales semiconductores. Son fundamentales para cultivar lingotes de silicio monocristalino utilizando técnicas avanzadas como el proceso Czochralski y los métodos de zona de flotación, que son vitales para producir materiales de alta calidad para dispositivos electrónicos.

Diseñados para ofrecer una excelente estabilidad térmica, resistencia a la corrosión química y una mínima expansión térmica, estos crisoles garantizan durabilidad y robustez. Están diseñados para soportar entornos químicos hostiles sin comprometer la integridad estructural o el rendimiento, extendiendo así la vida útil del crisol y manteniendo un rendimiento constante durante un uso prolongado.

La composición única de los crisoles Vetek Semiconductor para silicio monocristalino les permite soportar las condiciones extremas del procesamiento a alta temperatura. Esto garantiza una estabilidad térmica y una pureza excepcionales, que son fundamentales para el procesamiento de semiconductores. La composición también facilita una transferencia de calor eficiente, promoviendo una cristalización uniforme y minimizando los gradientes térmicos dentro del silicio fundido.

Ventajas de nuestro susceptor de recubrimiento de SiC:

Protección del material base: El recubrimiento CVD SiC actúa como una capa protectora durante el proceso epitaxial, protegiendo eficazmente el material base de la erosión y los daños causados ​​por el entorno externo. Esta medida de protección prolonga enormemente la vida útil del equipo.

Excelente conductividad térmica: Nuestro recubrimiento CVD SiC posee una excelente conductividad térmica, transfiriendo eficientemente el calor desde el material base a la superficie del recubrimiento. Esto mejora la eficiencia de la gestión térmica durante la epitaxia, asegurando temperaturas de funcionamiento óptimas para el equipo.

Calidad de película mejorada: el recubrimiento CVD SiC proporciona una superficie plana y uniforme, creando una base ideal para el crecimiento de la película. Reduce los defectos resultantes del desajuste de la red, mejora la cristalinidad y la calidad de la película epitaxial y, en última instancia, mejora su rendimiento y confiabilidad.

Elija nuestro susceptor de recubrimiento de SiC para sus necesidades de producción de obleas epitaxiales y benefíciese de una protección mejorada, una conductividad térmica superior y una calidad de película mejorada. Confíe en las soluciones innovadoras de VeTek Semiconductor para impulsar su éxito en la industria de los semiconductores.

Talleres de producción:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: