¿Conoce el susceptor MOCVD?

En el proceso de deposición química de vapor organometálico (MOCVD), el suceptor es un componente clave responsable de soportar la oblea y garantizar la uniformidad y el control preciso del proceso de deposición. La selección de materiales y las características del producto afectan directamente la estabilidad del proceso epitaxial y la calidad del producto.

Aceptador MOCVD(Deposición química de vapor metal-orgánico) es un componente clave del proceso en la fabricación de semiconductores. Se utiliza principalmente en el proceso MOCVD (deposición química de vapor metal-orgánico) para soportar y calentar la oblea para la deposición de película delgada. El diseño y la selección del material del suceptor son cruciales para la uniformidad, eficiencia y calidad del producto final.

Tipo de producto y selección de materiales:

El diseño y la selección de materiales del susceptor MOCVD son diversos y generalmente están determinados por los requisitos del proceso y las condiciones de reacción.Los siguientes son tipos de productos comunes y sus materiales.:

Susceptor recubierto de SiC(Susceptor recubierto de carburo de silicio):

Descripción: Susceptor con revestimiento de SiC, con grafito u otros materiales de alta temperatura como sustrato y revestimiento CVD SiC (CVD SiC Coating) en la superficie para mejorar su resistencia al desgaste y a la corrosión.

Aplicación: Ampliamente utilizado en procesos MOCVD en entornos de alta temperatura y gases altamente corrosivos, especialmente en epitaxia de silicio y deposición de semiconductores compuestos.

Susceptor recubierto de TaC:

Descripción: El susceptor con revestimiento TaC (recubrimiento CVD TaC) como material principal tiene una dureza y estabilidad química extremadamente altas y es adecuado para su uso en entornos extremadamente corrosivos.

Aplicación: Se utiliza en procesos MOCVD que requieren mayor resistencia a la corrosión y resistencia mecánica, como la deposición de nitruro de galio (GaN) y arseniuro de galio (GaAs).

Susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio para MOCVD:

Descripción: El sustrato es grafito y la superficie está cubierta con una capa de revestimiento CVD SiC para garantizar estabilidad y larga vida útil a altas temperaturas.

Aplicación: Adecuado para su uso en equipos como los reactores Aixtron MOCVD para fabricar materiales semiconductores compuestos de alta calidad.

Receptor EPI (receptor de epitaxia):

Descripción: Susceptor especialmente diseñado para el proceso de crecimiento epitaxial, generalmente con revestimiento de SiC o revestimiento de TaC para mejorar su conductividad térmica y durabilidad.

Aplicación: En epitaxia de silicio y epitaxia de semiconductores compuestos, se utiliza para garantizar un calentamiento y deposición uniforme de obleas.

Papel principal del susceptor de MOCVD en el procesamiento de semiconductores:

Soporte de oblea y calentamiento uniforme:

Función: El susceptor se utiliza para soportar obleas en reactores MOCVD y proporcionar una distribución uniforme del calor mediante calentamiento por inducción u otros métodos para garantizar la deposición uniforme de la película.

Conducción de calor y estabilidad.:

Función: La conductividad térmica y la estabilidad térmica de los materiales Susceptor son cruciales. El susceptor recubierto de SiC y el susceptor recubierto de TaC pueden mantener la estabilidad en procesos de alta temperatura debido a su alta conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas, evitando defectos de película causados ​​por temperaturas desiguales.

Resistencia a la corrosión y larga vida:

Función: En el proceso MOCVD, el Susceptor está expuesto a varios gases precursores químicos. El recubrimiento de SiC y el recubrimiento de TaC brindan una excelente resistencia a la corrosión, reducen la interacción entre la superficie del material y el gas de reacción y extienden la vida útil del Susceptor.

Optimización del entorno de reacción.:

Función: Al utilizar susceptores de alta calidad, se optimiza el flujo de gas y el campo de temperatura en el reactor MOCVD, lo que garantiza un proceso de deposición de película uniforme y mejora el rendimiento y el rendimiento del dispositivo. Suele utilizarse en Susceptores para Reactores MOCVD y equipos MOCVD de Aixtron.

Características del producto y ventajas técnicas：

Alta conductividad térmica y estabilidad térmica.:

Características: Los susceptores recubiertos de SiC y TaC tienen una conductividad térmica extremadamente alta, pueden distribuir el calor de manera rápida y uniforme y mantienen la estabilidad estructural a altas temperaturas para garantizar un calentamiento uniforme de las obleas.

Ventajas: Adecuado para procesos MOCVD que requieren un control preciso de la temperatura, como el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos como el nitruro de galio (GaN) y el arseniuro de galio (GaAs).

Excelente resistencia a la corrosión:

Características: El recubrimiento CVD SiC y el recubrimiento CVD TaC tienen una inercia química extremadamente alta y pueden resistir la corrosión de gases altamente corrosivos como cloruros y fluoruros, protegiendo el sustrato del Susceptor contra daños.

Ventajas: extienda la vida útil del Susceptor, reduzca la frecuencia de mantenimiento y mejore la eficiencia general del proceso MOCVD.

Alta resistencia mecánica y dureza.:

Características: La alta dureza y resistencia mecánica de los recubrimientos de SiC y TaC permiten al Susceptor resistir tensiones mecánicas en entornos de alta temperatura y alta presión y mantener estabilidad y precisión a largo plazo.

Ventajas: Particularmente adecuado para procesos de fabricación de semiconductores que requieren alta precisión, como el crecimiento epitaxial y la deposición química de vapor.

Aplicación de mercado y perspectivas de desarrollo.

Susceptores de MOCVDse utilizan ampliamente en la fabricación de LED de alto brillo, dispositivos electrónicos de potencia (como HEMT basados ​​en GaN), células solares y otros dispositivos optoelectrónicos. Con la creciente demanda de dispositivos semiconductores de mayor rendimiento y menor consumo de energía, la tecnología MOCVD continúa avanzando, impulsando la innovación en materiales y diseños de Susceptor. Por ejemplo, desarrollar tecnología de recubrimiento de SiC con mayor pureza y menor densidad de defectos, y optimizar el diseño estructural de Susceptor para adaptarse a obleas más grandes y procesos epitaxiales multicapa más complejos.

VeTek semiconductor Technology Co., LTD es un proveedor líder de materiales de recubrimiento avanzados para la industria de semiconductores. Nuestra empresa se centra en el desarrollo de soluciones de vanguardia para la industria.

Nuestra principal oferta de productos incluye recubrimientos de carburo de silicio (SiC) CVD, recubrimientos de carburo de tantalio (TaC), SiC a granel, polvos de SiC y materiales de SiC de alta pureza, susceptor de grafito recubierto de SiC, anillos de precalentamiento, anillo de desviación recubierto de TaC, piezas en forma de media luna, etc. ., la pureza es inferior a 5 ppm, puede cumplir con los requisitos del cliente.

VeTek semiconductor se centra en el desarrollo de tecnología de vanguardia y soluciones de desarrollo de productos para la industria de semiconductores. Esperamos sinceramente convertirnos en su socio a largo plazo en China.