2024-11-18
Con la producción gradual en masa de sustratos conductores de SiC, se imponen mayores requisitos a la estabilidad y repetibilidad del proceso. En particular, el control de defectos, ligeros ajustes o derivas en el campo térmico en el horno provocarán cambios en el cristal o un aumento de los defectos.
En la etapa posterior, enfrentaremos el desafío de "crecer más rápido, más grueso y más largo". Además de mejorar la teoría y la ingeniería, se necesitan como apoyo materiales de campo térmico más avanzados. Utilice materiales avanzados para cultivar cristales avanzados.
El uso inadecuado de materiales como grafito, grafito poroso y polvo de carburo de tantalio en el crisol en el campo térmico provocará defectos como un aumento de las inclusiones de carbono. Además, en algunas aplicaciones, la permeabilidad del grafito poroso no es suficiente y es necesario abrir orificios adicionales para aumentar la permeabilidad. El grafito poroso con alta permeabilidad enfrenta desafíos como el procesamiento, la pérdida de polvo y el grabado.
Recientemente, VeTek Semiconductor lanzó una nueva generación de materiales de campo térmico de crecimiento de cristales de SiC.carburo de tantalio poroso, por primera vez en el mundo.
El carburo de tantalio tiene alta resistencia y dureza, y es aún más difícil hacerlo poroso. Es aún más difícil fabricar carburo de tantalio poroso con gran porosidad y alta pureza. VeTek Semiconductor ha lanzado un innovador carburo de tantalio poroso con gran porosidad.con una porosidad máxima del 75%, alcanzando el nivel líder internacional.
Además, se puede utilizar para la filtración de componentes en fase gaseosa, ajustar los gradientes de temperatura locales, guiar la dirección del flujo de material, controlar las fugas, etc.; se puede combinar con otro recubrimiento de carburo de tantalio sólido (denso) o carburo de tantalio de VeTek Semiconductor para formar componentes con diferentes conductancias de flujo local; Algunos componentes se pueden reutilizar.
Porosidad ≤75% Líder internacional
Forma: escama, cilíndrica Líder internacional
Porosidad uniforme
● Porosidad para aplicaciones versátiles
La estructura porosa de TaC proporciona multifuncionalidad, permitiendo su uso en escenarios especializados como:
Difusión de gases: Facilita el control preciso del flujo de gas en procesos de semiconductores.
Filtración: Ideal para entornos que requieren separación de partículas de alto rendimiento.
Disipación de calor controlada: Gestiona eficientemente el calor en sistemas de alta temperatura, mejorando la regulación térmica general.
● Resistencia extrema a altas temperaturas
Con un punto de fusión de aproximadamente 3880 °C, el carburo de tantalio sobresale en aplicaciones de temperaturas ultraaltas. Esta excepcional resistencia al calor garantiza un rendimiento constante en condiciones donde la mayoría de los materiales fallan.
● Dureza y durabilidad superiores
Con una clasificación del 9 al 10 en la escala de dureza de Mohs, similar al diamante, Porous TaC demuestra una resistencia incomparable al desgaste mecánico, incluso bajo estrés extremo. Esta durabilidad lo hace ideal para aplicaciones expuestas a ambientes abrasivos.
● Estabilidad térmica excepcional
El carburo de tantalio conserva su integridad estructural y su rendimiento en condiciones de calor extremo. Su notable estabilidad térmica garantiza un funcionamiento confiable en industrias que requieren consistencia de alta temperatura, como la fabricación de semiconductores y la industria aeroespacial.
● Excelente conductividad térmica
A pesar de su naturaleza porosa, Porous TaC mantiene una transferencia de calor eficiente, lo que permite su uso en sistemas donde la rápida disipación del calor es fundamental. Esta característica mejora la aplicabilidad del material en procesos intensivos en calor.
● Baja expansión térmica para estabilidad dimensional
Con un bajo coeficiente de expansión térmica, el carburo de tantalio resiste los cambios dimensionales causados por las fluctuaciones de temperatura. Esta propiedad minimiza el estrés térmico, extendiendo la vida útil de los componentes y manteniendo la precisión en sistemas críticos.
● En procesos de alta temperatura, como el grabado con plasma y CVD, el carburo de tantalio poroso semiconductor VeTek se utiliza a menudo como revestimiento protector para equipos de procesamiento. Esto se debe a la fuerte resistencia a la corrosión del revestimiento TaC y su estabilidad a altas temperaturas. Estas propiedades aseguran que proteja eficazmente las superficies expuestas a gases reactivos o temperaturas extremas, asegurando así la reacción normal de los procesos de alta temperatura.
● En los procesos de difusión, el carburo de tantalio poroso puede servir como una barrera de difusión eficaz para evitar la mezcla de materiales en procesos de alta temperatura. Esta característica se utiliza a menudo para controlar la difusión de dopantes en procesos como la implantación de iones y el control de pureza de obleas semiconductoras.
● La estructura porosa del carburo de tantalio poroso semiconductor VeTek es muy adecuada para entornos de procesamiento de semiconductores que requieren un control o filtración precisos del flujo de gas. En este proceso, Porous TaC desempeña principalmente el papel de filtración y distribución de gas. Su inercia química garantiza que no se introduzcan contaminantes durante el proceso de filtración. Esto garantiza efectivamente la pureza del producto procesado.
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