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Calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC

Calentador MOCVD de grafito con revestimiento de SiC

El semiconductor Vetek produce un calentador MOCVD de grafito SIC, que es un componente clave del proceso MOCVD. Basado en un sustrato de grafito de alta pureza, la superficie está recubierta con un recubrimiento SIC de alta pureza para proporcionar una excelente estabilidad de alta temperatura y resistencia a la corrosión. Con servicios de productos de alta calidad y altamente personalizados, el calentador de grafito MOCVD de recubrimiento SIC de Vetek Semiconductor es una opción ideal para garantizar la estabilidad del proceso MOCVD y la calidad de deposición de película delgada. VeTeK Semiconductor espera convertirse en su socio.

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Susceptor epitaxial planetario de SiC con revestimiento CVD TaC

Susceptor epitaxial planetario de SiC con revestimiento CVD TaC

El susceptor epitaxial planetario de SiC con revestimiento CVD TaC es uno de los componentes centrales del reactor planetario MOCVD. A través del susceptor epitaxial planetario de SiC con recubrimiento CVD TaC, el disco grande orbita y el disco pequeño gira, y el modelo de flujo horizontal se extiende a máquinas de múltiples chips, de modo que tiene tanto la gestión de uniformidad de longitud de onda epitaxial de alta calidad como la optimización de defectos de un solo Máquinas de chips y las ventajas de costos de producción de las máquinas de chips múltiples. VeTek Semiconductor puede proporcionar a los clientes un susceptor epitaxial planetario de SiC con recubrimiento CVD TaC altamente personalizado. Si también quieres fabricar un horno MOCVD planetario como Aixtron, ¡ven a nosotros!

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Cubierta de satélite recubierta de SiC para MOCVD

Cubierta de satélite recubierta de SiC para MOCVD

Como fabricante y proveedor líder de cubiertas para satélites recubiertas de SiC para productos MOCVD en China, las cubiertas para satélites recubiertas de SiC de Vetek Semiconductor para productos MOCVD tienen una resistencia a altas temperaturas extremas, una excelente resistencia a la oxidación y a la corrosión, lo que desempeña un papel insustituible para garantizar una epitaxial de alta calidad. crecimiento en obleas. Bienvenido a sus consultas adicionales.

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Soporte de barril de oblea recubierto de CVD SiC

Soporte de barril de oblea recubierto de CVD SiC

El soporte del barril de oblea recubierta de CVD SiC es el componente clave del horno de crecimiento epitaxial, ampliamente utilizado en los hornos de crecimiento epitaxial MOCVD. VeTek Semiconductor le ofrece productos altamente personalizados. No importa cuáles sean sus necesidades para el soporte de barril de oblea recubierto de CVD SiC, bienvenido a consultarnos.

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Susceptor de barril de recubrimiento CVD SiC

Susceptor de barril de recubrimiento CVD SiC

El susceptor de barril con recubrimiento CVD SiC de VeTek Semiconductor es el componente central del horno epitaxial tipo barril. Con la ayuda del susceptor de barril con recubrimiento CVD SiC, la cantidad y calidad del crecimiento epitaxial mejoran enormemente. VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional de recubrimiento de SiC Barrel Susceptor, y se encuentra en el nivel líder en China e incluso en el mundo. VeTek Semiconductor espera establecer una estrecha relación de cooperación con usted en la industria de los semiconductores.

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Susceptor Epi de oblea con revestimiento de SiC CVD

Susceptor Epi de oblea con revestimiento de SiC CVD

El susceptor Epi de la oblea de recubrimiento de SiC CVD de VeTek Semiconductor es un componente indispensable para el crecimiento de la epitaxia de SiC y ofrece una gestión térmica, resistencia química y estabilidad dimensional superiores. Al elegir el susceptor Epi de oblea de recubrimiento CVD SiC de VeTek Semiconductor, usted mejora el rendimiento de sus procesos MOCVD, lo que genera productos de mayor calidad y una mayor eficiencia en sus operaciones de fabricación de semiconductores. Bienvenido a sus consultas adicionales.

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