Portabrocas de vacío de SiC poroso

El portabrocas de vacío de SiC poroso Vetek Semiconductor está compuesto principalmente de carburo de silicio (SiC), un material cerámico con excelente rendimiento. El portabrocas de vacío poroso de SiC puede desempeñar el papel de soporte y fijación de obleas en el proceso de procesamiento de semiconductores. Este producto puede garantizar un ajuste perfecto entre la oblea y el mandril al proporcionar una succión uniforme, evitando efectivamente la deformación y deformación de la oblea, asegurando así la planitud del flujo durante el procesamiento. Además, la resistencia a altas temperaturas del carburo de silicio puede garantizar la estabilidad del mandril y evitar que la oblea se caiga debido a la expansión térmica. Bienvenido a consultar más.

En el campo de la electrónica, el portabrocas de vacío de SiC poroso se puede utilizar como material semiconductor para corte por láser, fabricación de dispositivos de potencia, módulos fotovoltaicos y componentes electrónicos de potencia. Su alta conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas lo convierten en un material ideal para dispositivos electrónicos. En el campo de la optoelectrónica, el portabrocas de vacío de SiC poroso se puede utilizar para fabricar dispositivos optoelectrónicos como láseres, materiales de embalaje de LED y células solares. Sus excelentes propiedades ópticas y resistencia a la corrosión ayudan a mejorar el rendimiento y la estabilidad del dispositivo.

Vetek Semiconductor puede proporcionar:

1. Limpieza: Después del procesamiento, grabado, limpieza y entrega final del portador de SiC, se debe templar a 1200 grados durante 1,5 horas para quemar todas las impurezas y luego empaquetar en bolsas al vacío.

2. Planitud del producto: Antes de colocar la oblea, debe estar por encima de -60 kpa cuando se coloca en el equipo para evitar que el portador salga volando durante una transmisión rápida. Después de colocar la oblea, debe estar por encima de -70 kpa. Si la temperatura sin carga es inferior a -50 kpa, la máquina seguirá alertando y no podrá funcionar. Por eso, la planitud de la espalda es muy importante.

3. Diseño de ruta de gas: personalizado según los requisitos del cliente.

3 etapas de pruebas de clientes:

1. Prueba de oxidación: sin oxígeno (el cliente calienta rápidamente hasta 900 grados, por lo que el producto debe recocerse a 1100 grados).

2. Prueba de residuos metálicos: Caliente rápidamente hasta 1200 grados, no se liberan impurezas metálicas que contaminen la oblea.

3. Prueba de vacío: La diferencia entre la presión con y sin Wafer está dentro de +2ka (fuerza de succión).

Tabla de características del mandril de vacío de SiC poroso de semiconductores VeTek:

Tiendas de mandriles de vacío de SiC poroso de semiconductores VeTek:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: