Polvo de carburo de silicio ultrapuro para el crecimiento de cristales

Como fabricante profesional, VeTek Semiconductor desea ofrecerle polvo de carburo de silicio ultrapuro de alta calidad para el crecimiento de cristales.

VeTek Semiconductor se especializa en proporcionar polvo de carburo de silicio ultrapuro para el crecimiento de cristales con distintos niveles de pureza. Contáctenos hoy para obtener más información y recibir una cotización. Mejore su investigación y desarrollo de semiconductores con los productos de alta calidad de VeTek Semiconductor.

El polvo de carburo de silicio ultrapuro VeTek Semiconductor para el crecimiento de cristales se prepara mediante un método de reacción en fase sólida a alta temperatura, utilizando polvo de silicio de alta pureza y polvo de carbono de alta pureza como materias primas. Con una pureza de hasta el 99,999 % en peso y niveles extremadamente bajos de impurezas de nitrógeno, boro, aluminio y otros contaminantes, está diseñado específicamente para mejorar las propiedades semiaislantes del carburo de silicio de alta pureza.

La pureza de nuestro polvo de carburo de silicio de grado semiconductor alcanza un impresionante 99,999%, lo que lo convierte en una excelente materia prima para la producción de monocristales de carburo de silicio. Lo que distingue a nuestro producto de otros en el mercado es su característica notable de crecimiento de cristal de alta velocidad. Con tasas de crecimiento de cristales que alcanzan 0,2-0,3 mm/h, reduce significativamente el tiempo de crecimiento de los cristales y reduce los costos generales de producción.

La calidad del polvo de carburo de silicio es crucial para lograr un alto rendimiento de crecimiento de cristales y requiere procesos de fabricación precisos. Nuestra tecnología implica la separación térmica en diferentes etapas para eliminar impurezas de diferentes propiedades, lo que da como resultado un polvo de carburo de silicio semiaislante de alta pureza con bajo contenido de nitrógeno. Al procesar aún más el polvo en gránulos y utilizar técnicas de ciclo térmico, cumplimos con los requisitos de crecimiento dimensional de los cristales de carburo de silicio. Esta tecnología tiene como objetivo mejorar las capacidades nacionales de investigación de semiconductores avanzados, mejorar la autosuficiencia material, abordar los monopolios internacionales y reducir los costos de fabricación en la industria nacional de semiconductores de carburo de silicio, elevando en última instancia su competitividad global.

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