Grafito poroso de crecimiento de cristales de SiC

El grafito poroso de crecimiento de cristales de SiC es un material hecho de grafito poroso con una estructura de poros altamente controlable. En el procesamiento de semiconductores, muestra una excelente conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas y estabilidad química, por lo que se usa ampliamente en la deposición física de vapor, la deposición química de vapor y otros procesos, mejorando significativamente la eficiencia del proceso de producción y la calidad del producto, convirtiéndose en un semiconductor optimizado. Materiales críticos para el rendimiento de los equipos de fabricación.

En el proceso PVD, el grafito poroso de crecimiento de cristales de SiC se utiliza generalmente como soporte o accesorio del sustrato. Su función es soportar la oblea u otros sustratos y asegurar la estabilidad del material durante el proceso de deposición. La conductividad térmica del grafito poroso suele estar entre 80 W/m·K y 120 W/m·K, lo que permite que el grafito poroso conduzca el calor de manera rápida y uniforme, evitando el sobrecalentamiento local, evitando así la deposición desigual de películas delgadas, mejorando en gran medida la eficiencia del proceso. .

Además, el rango de porosidad típico del grafito poroso de crecimiento de cristales de SiC es del 20 % al 40 %. Esta característica puede ayudar a dispersar el flujo de gas en la cámara de vacío y evitar que el flujo de gas afecte la uniformidad de la capa de película durante el proceso de deposición.

En el proceso CVD, la estructura porosa del grafito poroso de crecimiento de cristales de SiC proporciona un camino ideal para la distribución uniforme de gases. El gas reactivo se deposita en la superficie del sustrato mediante una reacción química en fase gaseosa para formar una película delgada. Este proceso requiere un control preciso del flujo y distribución del gas reactivo. La porosidad del 20% al 40% del grafito poroso puede guiar eficazmente el gas y distribuirlo uniformemente sobre la superficie del sustrato, mejorando la uniformidad y consistencia de la capa de película depositada.

El grafito poroso se utiliza comúnmente como tubos de hornos, soportes de sustrato o materiales de máscara en equipos CVD, especialmente en procesos de semiconductores que requieren materiales de alta pureza y tienen requisitos extremadamente altos de contaminación por partículas. Al mismo tiempo, el proceso CVD suele implicar altas temperaturas y el grafito poroso puede mantener su estabilidad física y química a temperaturas de hasta 2500 °C, lo que lo convierte en un material indispensable en el proceso CVD.

A pesar de su estructura porosa, el grafito poroso de crecimiento de cristales de SiC todavía tiene una resistencia a la compresión de 50 MPa, que es suficiente para soportar la tensión mecánica generada durante la fabricación de semiconductores.

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Propiedades físicas básicas del grafito poroso de crecimiento de cristales de SiC:

Tiendas de productos de grafito poroso de crecimiento de cristal de SiC semiconductor VeTek:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: