La placa portadora de grabado PSS para semiconductores de VeTek Semiconductor es un portador de grafito ultrapuro de alta calidad diseñado para procesos de manipulación de obleas. Nuestros transportadores tienen un rendimiento excelente y pueden funcionar bien en entornos hostiles, altas temperaturas y condiciones duras de limpieza química. Nuestros productos se utilizan ampliamente en muchos mercados europeos y americanos y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Como fabricante profesional, nos gustaría ofrecerle una placa portadora de grabado PSS para semiconductores de alta calidad. La placa portadora de grabado PSS para semiconductores de VeTek Semiconductor es un componente especializado utilizado en la industria de semiconductores para el proceso de grabado por espectroscopia de fuente de plasma (PSS). Esta placa juega un papel crucial en el soporte y transporte de las obleas semiconductoras durante el proceso de grabado. ¡Bienvenido a consultarnos!
Diseño de precisión: la placa portadora está diseñada con dimensiones precisas y superficie plana para garantizar un grabado uniforme y consistente en las obleas semiconductoras. Proporciona una plataforma estable y controlada para las obleas, lo que permite obtener resultados de grabado precisos y fiables.
Resistencia al plasma: La placa portadora exhibe una excelente resistencia al plasma utilizado en el proceso de grabado. No se ve afectado por los gases reactivos ni el plasma de alta energía, lo que garantiza una vida útil prolongada y un rendimiento constante.
Conductividad térmica: la placa portadora presenta una alta conductividad térmica para disipar eficientemente el calor generado durante el proceso de grabado. Esto ayuda a mantener un control óptimo de la temperatura y evita el sobrecalentamiento de las obleas semiconductoras.
Compatibilidad: La placa portadora de grabado PSS está diseñada para ser compatible con varios tamaños de obleas semiconductoras comúnmente utilizadas en la industria, lo que garantiza versatilidad y facilidad de uso en diferentes procesos de fabricación.
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC. | |
Propiedad | Valor típico |
Estructura cristalina | FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111) |
Densidad | 3,21 g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
Tamaño de grano | 2~10μm |
Pureza química | 99,99995% |
Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
Fuerza flexible | 415 MPa RT de 4 puntos |
El módulo de Young | Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
Conductividad térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansión Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |