Características de la epitaxia del silicio.

Las características de la epitaxia del silicio son las siguientes:

Alta pureza: la capa epitaxial de silicio cultivada mediante deposición química de vapor (CVD) tiene una pureza extremadamente alta, una mejor planitud de la superficie y una menor densidad de defectos que las obleas tradicionales.

Uniformidad de la película delgada: la epitaxia de silicio puede formar una película delgada muy uniforme bajo una cierta tasa de crecimiento garantizada. Al mismo tiempo, se puede lograr la uniformidad del calentamiento, reduciendo así los defectos de la estructura cristalina y mejorando la calidad del cristal.

Fuerte controlabilidad: la tecnología de epitaxia de silicio puede controlar con precisión la morfología, el tamaño y la estructura de los materiales de silicio, y puede desarrollar estructuras cristalinas complejas, como heterouniones multicapa.

Oblea de gran diámetro: la tecnología de crecimiento epitaxial de silicio puede producir obleas de silicio con grandes diámetros, y la capacidad de producir obleas de silicio de gran diámetro es crucial para la producción de semiconductores.

Fiabilidad del proceso: el proceso epitaxial del silicio se puede reutilizar muchas veces, lo que es de gran importancia para la producción en masa de dispositivos semiconductores.